mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？

lion小海

mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

lion小海

这上面人很少呀？没人发表下意见、、

andrewxj

http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

lion小海

回復 3# andrewxj

1 t+ U! A" \8 {
5 O1 g' _4 O  Q+ d    谢谢。。。

despair

熟悉ESD也是Layout的基礎。
2 F! N8 C/ o$ X6 K4 W
$ a9 V3 w% R  C9 K& sMOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因
. U+ Q& R# J. v" X
% G0 [1 k9 P  I1 ^除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
讓耐受ESD的效果更好

8 l1 x8 S9 h/ V- i3 K這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。