看好氧化物TFT技術 三星與夏普將領先邁入量產階段

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(台北訊) IGZO為InGaZnO (銦鎵鋅氧化物)的縮寫，係備受關注的次世代TFT技術，屬氧化物TFT (Oxide TFT)的一種。DIGITIMES Research分析，與非晶矽(a-Si) TFT相較，氧化物TFT不僅電子移動度較高，且在TFT一致性、製造成本與製程溫度，亦均與非晶矽TFT同水準，有機會成為次世代TFT製程。

氧化物TFT技術最早係由日本細野秀雄教授於1995年首次發表，而2004年由細野秀雄教授帶領的日本東京大學研究團隊，又發表採用IGZO薄膜製作的TFT元件，其後，南韓、日本與台灣相關廠商自2006年起陸續發表採氧化物半導體的試製品。
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4 W* O: r. O. d- x7 V8 }( _依全球FPD廠商於氧化物TFT技術發展動向來看，其應用面涵蓋3D TV面板、可撓式顯示器、透明顯示器、超大尺寸電視／數位資訊顯示器等應用領域。

& G# D5 \( m! U- ~5 T7 X1 }& ~而在南韓與日本主要LCD面板廠中，以三星與夏普啟用氧化物TFT產線量產腳步將較快，其中，DIGITIMES Research說明，三星運用氧化物TFT技術，主要在使3D TV面板達到UD級高解析度與480Hz高倍速驅動，其計劃最快於2012年推出採該面板的3D TV新品，依此來看，三星啟用氧化物TFT產線量產的時間，應將落在2011年下半至2012年之間。

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至於夏普啟用氧化物TFT產線量產的時間，則可能落在2011年底，而相較於三星以氧化物TFT發展次世代3D TV，夏普則將優先供應平板裝置與智慧型手機用途，於此背景下，2012年LCD製程可望邁入新階段。

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