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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 關於高壓NDD
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[問題求助] 關於高壓NDD

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1#
發表於 2011-6-12 15:31:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常高壓元件MOS  : Y0 y; |$ X0 d  }; V7 n- Y
會打DRAIN NDD的原因是因為要跟SOURE隔離嗎?1 f! f: ~2 c2 U7 U  \5 o
% _, e3 G) P) e7 j( l( v6 X
還是有特別的意思?- F6 k$ l# b7 R* D" J* J

, A3 l+ R( i2 A; |* h& a
( M) x+ i9 C. t+ v( l2 ]請各位大大幫我解答一下好嗎?
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2#
發表於 2011-6-15 13:48:58 | 只看該作者
NDD  这一层是为了增大高压器件drain端的耐压做的，用的是N型的注入，注入的浓度比Nplus低，但是比Nplus的结伸深
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