Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 15435|回復: 11
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 高壓製程

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
1 A9 g5 K/ h9 U) }  r那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂2 踩 分享分享
2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊  a5 p/ R" N. j. M+ ?" q

% w. A, ]8 C! y; b感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題
1 V+ U& j! K1 a+ F: p有分享任何資訊嗎?!' T, X# s; f! [* v) u! p  N
小女無材$ a# t# M- R1 m5 F
看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
5 N; Z- P5 I" p! P' R" B6 w+ d
" `' ?3 u1 F: D9 b! e: F這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout& v. y( }) j0 c' a- \
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...+ o& Z7 z1 B6 V% e2 ~: X
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM
0 a+ ]( N& u% n/ O) u( _, U
8 M, D$ f) |4 k% j$ X* p
個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
* R" n7 e  M9 W' o1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
5 r' u. Z3 \# v7 x1 m9 A3 _   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。( L7 {! L: T: k6 C9 C3 ^  F
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分: {: b2 O$ d# M4 C; n# S; t
    LV9 {; J- S+ m7 n
    VbrDS<5V1 q: g- V5 _' r, E9 r# P
      MV & }) g% }: s# q" k# t3 f4 p. G
     15V<VbrDS<25V
' P- _+ J1 [3 p      HV
$ E6 ?/ n( \! K% A2 k     30 <VbrDS<45V
) R& v% ~6 W3 y; ^$ F     45<VbrDS<80V) o- y+ a; \, o: z1 i: ?
     UHV
3 z4 G, N8 K! \  h     80<VbrDS<120V
6 t6 k. y9 r# N' u9 [1 Q5 q     500V<VbrDS, G/ A$ F. l+ r7 C, s
     800V<VbrDS
: W6 [( T2 I. j3 l- J1 x3 T1 S; w     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
/ _; @; E; b! e4 t3 L8 O8 }5 k& F/ a; s5 l; h1 Q0 e
2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃/ D, t% _& }! d5 ]6 R! [: w
   並理解器件的物理和電學特性
, f+ \# w1 I7 a& ]   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。
  h! [; z* E1 o0 B* w( R' U* ^   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。2 E5 @2 u5 F- V3 [4 j3 q/ F5 F* T
   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。) W6 ^" c, i; y
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,: H1 ^5 P, W* y' B
   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。0 m0 h$ H' d. h+ S( o8 i3 {/ X
   理論的學習,
; L5 t9 y+ J+ |* A/ W   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
) ]" w" o0 D5 g& \   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。8 H4 F4 T1 W# |! P/ S2 X

) Z$ A' ?" _+ o( w1 `" Q  a3:實踐
( _4 A) U7 F( d" e/ D& Z' u2 T   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。8 S0 P+ Y$ o; i3 [: a" G
   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
) ^! `4 k+ R" \5 R   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
1 _! y" ~$ P3 t   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。
% N' @9 K  q& _& y) H# ]3 B3 [3 p  g- u8 A
4:Reverse engineering( W' M* p, h7 |) P% k$ l7 |5 _3 @
    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。, E( A& a* g  F, Y  h/ H& w+ Z2 o2 }9 V4 X/ _
3 v0 K+ B2 l3 Z2 {" ^* h0 J
淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-11-16 07:06 PM , Processed in 0.162009 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表