如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
2 r  w* M5 ?3 {: d6 Q: O6 lLV_DEVICES NOT INSIDE NBLi
, h8 n& z7 L: l) {; M* u+ u6 c
(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
LV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL

(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
# s$ ?1 N# ~2 |4 N, M2 t# HLV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，

如果沒錯的話，以小弟的猜測，

8 J. a8 s/ ~1 ~+ k' t! t你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

. c& K; l/ o. R類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
% B8 ?! Z, F$ X3 [/ i, A- J/ E8 F
LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
1 n6 P1 T  N& w/ ~3 x! b
" b8 m5 z7 i# v4 @: H/ m: z3 I; M& jLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
  }$ {/ @6 F  H/ E% B+ C; G: k: m第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
才有辦法了解原因為何
' k4 s$ |: z; ~1 u8 Z* X
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。