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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯
2 o# s9 m- Q  s( z- e4 x! z9 L% d4 K' T! B% w# }4 W) u

3 K5 J. ~+ c% k4 g0 j+ Y6 D不知道有沒有大大可以幫我解決的!' K! O+ j% |9 f! x3 n2 F- D
因為沒有製程說明書~
; G: B6 N- A3 }2 }而且之前畫.18都正常!
0 x' F+ |' M. M! B' G用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!
# z* ^) ^4 r& l; g想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!
' \3 ~; A* p% y2 l謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看
% Y1 a* c# M) I3 |/ F" V才知係瞎密錯誤5 N% P& T6 Y( f
通常是 cont via 大小 不同
7 ~& S' [8 I: ~" R8 F大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:. n1 H2 S8 q/ K
" g1 x+ i. x  X$ h' ~9 _
1.layout tool
1 t  o! u6 i. N3 v3 Y3 Z2.Design rule (跟process 有關)
: o6 D! c4 f$ V: Q7 J3.technology file (跟layer 設定有關); d# X. S3 ^0 l: y3 a. v6 z! P6 d! `- p
4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關)' E" G# E% j' e  r7 [2 Z8 s
' }$ c. f( V. I( g, [& H& j5 ~: s
狀況一:2 \! J  \: Q" l' }8 U& @% p+ v$ \
不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西
+ g5 M: b1 u$ `1 W% y
: c( g' O9 i; }( N# N2 C因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因
* M) F& V1 A; F3 U0 i
: t5 u  v. [$ x為驗証一定會錯誤。
# c8 }9 d2 W* x. O
& v: ^% I( u1 n# o' Z, P狀況二:
7 o! o2 W( _4 m- ^' Y: E) d
  }5 S, n, h' x2 p如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因
! b' M/ v1 g. ~# P. I' S- s* q1 |6 w
為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer
1 |+ i" r4 G4 q2 {/ z0 Y
) F- n& \0 B) B8 n8 g的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的
7 x2 |( H- |  S( j) z' _2 V3 U
; ?. E+ O$ c: e5 O; n. l0 ~LVS/DRC command file能夠去認到對應的層。- r2 X- p0 [, ~" ]( z; V' q  D: Q

, X0 n- ~" @! _( f" T# }Layout 要正確,最好備齊所需的工具。
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