集成MOS電源芯片老化問題

hvpower

芯片如果不出現過溫保護則一切表現正常，過溫保護後亦能工作，但SD端電阻只有兩三百K歐姆（正常爲兆歐級別）；DS段電阻變爲4M左右（正常是無窮大）再次高溫烘烤後芯片恢複正常，並且過溫後也不再損壞；
未過溫保護前對芯片高溫烘烤，也不會再出現過溫保護後DS電阻變小的問題。