同樣的ESD設計，爲什麽差別這麼大

cltong

使用的是0.5u的硅柵工藝，輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護，輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
! t% }$ c, [! ]1 S. ?! y! g5 e. CESD測試結果差別很大，請教是什麽原因，下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
) c8 I* f, N- ^% x
Esd test summary:

ESD TEST


2 _* S; @8 b0 {8 W/ O; rPAD

cltong

回復 1# cltong
9 v# F+ R! o5 d
$ P# i! _, b; V( L8 W/ l# W整體佈局

pad    layout
2 y8 ^; N; P% k7 N% g2 ~4 Rvdd&pin 28-38,1  esd protection

1 S( W( J, F  h  e. S8 V4 Gpad 39 40 esd  protection
4 g2 |( m2 ]! D7 _9 H% g, n3 T
gnd &pad7-14 esd  protection
+ [3 [$ T; Q; p/ e% Q

cltong

回復 3# cthsu1


    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail？可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎？
4 {' h5 h% y2 `

輸入端基本上都 pass，而輸出端差別就大了，有兩個輸出端口1000v都沒有過，（IO TO GND +)， 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護，只有有個NMOS放在GND旁邊。

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回復 5# jian1712

6 ~* W7 [4 g5 f( S# L0 ~
   

cltong

回復 7# jian1712
+ c3 _4 {8 Q4 l0 T# e" [
! o& A; n" ~' N1 z6 @  v8 L
    是的，输出BUF直接代替保护。这样有问题吗？

cltong

csmc的工艺，无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。

cltong

$ e2 J" I% o8 e4 `* S0 [# G5 `回復 12# jian1712
$ x5 @, B4 X7 F
% _3 k8 U4 ~/ B% z" P
- `, Y2 i" ]* r9 T% \- v! D" a    是的，27-38是输入，其他的都是输出，输出的ESD怎么做才会好些？难道除了BUF还要加保护。

8 r3 E6 w  d6 N
% v+ c  H7 i! F) o  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出，而输入的栅是固定的。

cltong

回復 14# jian1712
1 {9 X4 H! O8 D% R

   
! ~3 z+ l5 W) u6 V, _1 W
  PAD layout & display file& technology file

cltong

回復 16# spsun
9 T9 Y5 g: S5 i$ `& g+ D& ?2 e/ c
8 T, t  n* g* x7 y0 z. q
: I  d5 K8 n( s% p: e2 b/ N$ @3 `    PCB上没有特殊处理

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esd 更改了一版，终于过了4000v