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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.  @7 N" G% h9 {
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。4 u) B1 {) ?( _% m. A$ }

, F5 H( f8 t! S) J) CEsd test summary:
  s) h; y8 M, N9 }! Q6 z! \/ `' j: g
8 q, I+ H: v, I5 _% P, tESD TEST 8 B3 g7 ^, H% Z% }/ p0 ^
% F! N' i7 A3 h! I
# C. V6 U( k7 J% `
PAD3 Y2 [5 C* @7 h& B4 y

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong - N$ b8 X9 d9 v% y3 w

7 [" U2 @8 R+ S- ?6 O% `整體佈局
' L8 n: Z) ~' `% ~. ~2 [% ~" K
# S* `  m- a6 H* Vpad    layout
7 J" ~7 D- Q1 F# A9 K# c$ @vdd&pin 28-38,1  esd protection
& p9 A  B8 Z0 h! D. Z
1 o! m( k; B. I6 H) [. U( _+ m: lpad 39 40 esd  protection
$ w, d- y7 Y3 y4 x$ L8 b' Q7 J) m& ^3 C' ]& T7 U
gnd &pad7-14 esd  protection
  e  B9 a: Q7 O7 J! y+ k2 Y

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
! U. ?2 [1 V! b; `/ i/ c* V4 t3 J4 U6 W
6 U! I% U) |: S* n
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? * F! f. M6 u( f! G8 }
3 \" g- H6 W: v3 a/ q

6 }5 D7 J5 v. U; b輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong ! w2 J$ [: \* V; `  k; a( p
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
1 x3 h8 s) g2 A" e3 ^: b+ @+ Z* A  T$ @  ]+ L, R( m6 K2 u+ C
2 t8 b  Z: s) w- b2 `
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
& U  V$ R  r& b$ L0 y2 I  X我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
' E2 j2 r; Z. z4 y- U1 D3 ?/ \  Y$ i0 s) V5 a' X; U- S, a
5 Y( ?" S) j% c) y, s0 \( M
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 : ?2 a/ f: y: ]+ p  e4 }
6 h+ L( k% i% I) ]( ]
回復 12# jian1712
$ v! Z, F% x+ v, }6 L; x) \" e1 e1 K

2 Z8 x3 h$ a: X) \- p    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
' x: l; c! I/ q4 {' `. F2 G  B& L% S- k/ d' D& q

. m- d5 C6 ^  K4 J# _' e# u7 B  N  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 5 f7 i4 l- r' e2 }! W+ P" Y! t
0 |" n% |1 ^0 _6 R0 b# D5 r
: P) M4 k0 |$ r
    , O: z) ]! d* K( k8 d

; `9 ~" k& k* P% z( a0 d2 W  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun 5 D5 w$ N5 S; G' A$ P" u

: z2 R( X) ^" G! M; M: b$ z2 M+ d" B4 S, [# i
    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,* x0 h+ E( s; b/ L$ v6 C: l8 p
若PAD沒串電阻, 就直接到gate," @7 y9 ~% I6 C0 f
這是相當容易造成gate端燒燬,4 O% l5 {, z9 c/ `- E+ ]6 I
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,+ [- m  a3 m4 g1 k
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
; |5 w+ d4 i5 y: w如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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