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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.+ x' q) D8 V3 l  A9 X4 i
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。' y, Y: V1 G. u5 V5 b" j8 ]

7 t* L, n2 O8 m4 ?Esd test summary:1 U$ U: G; P4 ~. W

5 G8 h9 G) ]3 L; Y/ bESD TEST
8 L; r" Y5 C; S: I9 b0 }- y4 F2 ^+ C3 K
9 w! @6 R1 J, r- B, K
PAD; \! O' i# d) |+ ~) Y2 z% e- z

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong - p9 I" v, ~3 o4 K

7 E( s5 ?! O$ o, g6 E整體佈局3 T/ j) U8 |' [5 Z1 d5 J; m' ^
9 H0 y, k+ Y  D5 w
pad    layout
8 P; s" G$ i- c$ z. D$ `4 t' d' K0 tvdd&pin 28-38,1  esd protection$ O  S% Q5 d. U! p/ o

) u1 I7 Z# i( jpad 39 40 esd  protection
; k7 S6 a+ e. Y  p& i* U8 p+ m
" U: z% k5 b/ F9 ~2 D/ Pgnd &pad7-14 esd  protection
# u9 r& }6 u0 i. R* W1 @

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 $ q% [" @' i0 l: v. \# ?
. q) O" [& ?. o, I3 C

% p1 J: b% r  n, ~  S% h& r    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 6 [3 [4 z/ n9 X- X$ H) |$ ?0 W8 x
9 o  P5 d' y8 n4 |

  ^5 q$ L3 }7 q9 V輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong # L+ _7 w" t3 Y
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
# U' L( W$ t" }6 x+ c# q$ v' L, Z% e
' n! [% D% J% M8 j, _1 F2 I
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
( O1 x* ]) A& }我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
  N" @4 e5 f. @) {
# x  x, a# F, }* [6 }5 |) V+ m2 l" h" q+ u# ~& C3 i
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
! Q8 V& _( w# k' k; H! L- Q, Y. [6 M. ?, ?) j6 v6 O
回復 12# jian1712
- \6 H7 ^# V& w6 s! n9 d7 l# V8 I# c) B* N3 w$ z- N, J$ d  i

, V/ L( T" L$ Y* Q5 `  o/ K    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。5 B9 A$ _$ U" B4 r( a2 p1 E

. H; U5 E1 _1 r" x) t8 C
/ A8 ^" K7 y( P1 E& W; Y  f' D  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
1 ?! l* E9 i9 f, j) ~0 `# D0 w5 g8 ?4 B: l
; q4 m4 _& K' Y& l3 S
    ! ~, `& x& s5 ^$ M

& _" u4 [( p, T1 W9 V' x  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
$ ~3 A0 O6 W; |3 G6 ]; n  N  R8 }
9 ^  q5 j  C7 x$ s- E) }) G6 ^; `
3 g( A: s2 [" C# _    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,8 \) ^! m+ e: ]# F3 n* V0 s( ]
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
0 l: H- j9 r' c* P. a4 G這是相當容易造成gate端燒燬,
3 }# l8 z2 U, v" ^7 D$ ~- U給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,7 D3 @  Z8 x/ f# \
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面," u; F. s! G- s  ~. u" m
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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