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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.7 U/ H  j; q& P: G- ?
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。5 P/ a2 Q9 N- r3 b

3 [& t. D1 j1 fEsd test summary:
8 t% @! q$ k0 }8 `+ N- V1 S  x7 t8 k  K: @( d! _! F; x
ESD TEST
( z. ?1 N& w/ U1 J5 J5 _) W5 A4 z/ x3 k- t; T
1 b! M  v: h6 k( b2 n7 y, P( Q6 @
PAD
! z2 P! b: v' A9 ]( j% A% f

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong - |4 [& t3 e; F: [$ z! O

; ^  |5 [& Y% b4 P& i0 ^整體佈局  h: f$ `$ I3 D' @, K
- u* {, g9 Q3 K& L& K
pad    layout
) S4 ~' ~/ ]/ I+ k' O7 wvdd&pin 28-38,1  esd protection8 p& H2 p  M/ ~) Y5 O3 {
8 r$ H3 p, u2 j4 X, t0 r3 `# f
pad 39 40 esd  protection
! q/ m" N2 ]7 ~8 p! T
: i: Q* J) d4 ]! U) I8 H/ ngnd &pad7-14 esd  protection1 T* G, F) v$ O- T

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1
! B) z- U. [! D4 N# F
; A% {5 S- w. F4 P! c/ H# N  Y( c' f# w: g
    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎? 1 b& f2 g6 ?8 B4 B

) [; o! A- \# E# V; j/ G% s/ T) ~  C8 \8 B- W
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 6 J7 G8 C$ N1 a4 ^: O
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
5 |4 m- ]0 |3 b8 c- K/ u) O) y/ @( v2 `3 c
* A( v, A4 Z2 S2 n: N" m
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
* W8 |7 o0 c. n$ C% b7 S我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
/ T+ q' R6 {+ M5 y
/ w1 j3 f+ K7 e- e
+ H( T$ T; O5 ?    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯 5 F6 Y0 w8 L. ~# v8 v
/ ?' L8 |6 X% H( Z+ I
回復 12# jian1712 , G( w- q+ F) K; w( w4 D3 P9 i- W' Z
: L( Z5 V" G: P4 g; G9 j( Z+ b
) c' U6 q, l, e* v7 t) ]3 g8 O
    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。2 l: Q8 j" O( Y! R

) \, q$ S* `) F0 q/ _5 m) E! [) _) l: J3 u
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 3 T3 {+ N3 S5 Y

( o! R9 F0 G7 g; s
* m1 d5 l+ U  l! D% `3 d" [    ' t' h$ x0 w. Y& a) u/ L
# M7 l' f) c3 b' @0 X  K- z4 }
  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
  F  P7 p3 I+ W1 a3 s% u2 i) m; c
! ?8 }$ b. Y) U) h% T8 V
/ G/ P  _8 P3 i+ a  j    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,) ?& B$ h. q0 k- ]
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
% t$ l$ x; T( Y8 |這是相當容易造成gate端燒燬,/ c( V- i+ A  A
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,4 u4 K. F# g# V" [7 U
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
" i/ |. }9 U2 t; v如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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