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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.& V) N# w- i7 c; x8 p1 O4 K
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
+ _, f* V/ m+ L8 y
9 G( z- C5 ^: n' o, v9 L  c3 FEsd test summary:, K& R( E. A2 ^3 r3 A

# ~6 _8 e8 `; M) b$ P5 @$ ~. hESD TEST
& E9 X4 `/ ]; s5 P( a5 L$ g9 ]& w4 S1 R$ A1 m! V
0 n; D( @% {' ^$ ]! q
PAD( p) M- {7 s! @9 W* P

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong . `: a2 B$ \5 w5 U

1 c. @4 a. g" K% B整體佈局- ]1 P# s8 |( m) t1 j% f* _* Q2 b

& G+ ?; y, J& x% h$ F" r, Gpad    layout
$ p# d! U3 P# v  Z. M3 n# n. `vdd&pin 28-38,1  esd protection
  n4 W' }: [* y% \3 N
* C, B) o' m: l# \9 ]$ T+ Apad 39 40 esd  protection! q7 b+ T) b' v0 B# O. U! w

- ?; m! f  D, D# R+ L3 r. Xgnd &pad7-14 esd  protection
* e  j  q+ p1 \$ w

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 2 y$ @) N; L. i. e

- i' g# S4 z4 r+ c
% R& B* C# E6 o+ ]+ _% l    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
  C! W- A4 Y0 \1 P3 G+ }
; U- E. j9 {/ `. f: e0 r, `- {( l. ?; d; ~5 \# }9 ~: |( v& m
輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong 5 U! H  V$ V) h8 {
可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
$ \- n, Z" ^& k5 s2 z2 \/ h0 s  f8 s6 M0 n* g3 |7 F+ E: n% i

6 F( c# M0 f1 ^2 p: I0 }   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong& w' U0 j( k& Q, Y/ Q5 b
我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
1 s3 A9 L" }0 ?. o, g4 M8 P1 X  ?" N8 T9 ^2 \. U
6 C# n# b/ s- Y! ?
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
" ~8 g; o, v; |5 ]0 o8 y% }' L. ^. |; ?3 H7 y& Q2 o8 A) R
回復 12# jian1712 3 J8 y+ e# J4 K$ C! F" X) u6 ]
# ?5 \3 D  r% f. U% D6 f0 Q, @; V( b

& |( l9 |& O& A# A4 S/ r. N    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。
7 P" A' x' ]5 X1 R# n/ x
, r8 T5 K/ F1 y1 z% v! w$ l9 x) C/ {6 R+ p; v* f
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712 ) a7 n. P% I4 Q  B$ h' A3 S& Z3 d

9 O" b7 C) @' s! Z6 F5 \
# c  x% P' o; {6 d5 y    1 v1 K* F: \9 Z9 D3 z9 Y  ^

8 U- Y& l6 A' I7 l+ p  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun
/ I  p; a3 m) K, Z
3 g- v5 U1 u+ T9 S. `5 q' ?
+ ?% Y( T( Z# {  N    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,9 {1 B' U: U6 j3 Y$ J4 a2 @
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
; p- ]6 G$ L5 m! i9 f3 j0 R這是相當容易造成gate端燒燬,* v3 V: @8 T/ L* S; D) G7 H8 q; k
給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,/ D& l9 H3 [1 M  G4 t  h& s
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,5 T  T# m6 h, d4 F  c- |$ a4 b
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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