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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.. q3 o6 I: m5 v; u% F2 b0 A- m$ `7 u
ESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。
/ n) I7 C& B* I+ w! c' C1 P7 S1 N3 A4 z( U; @3 Z2 g5 |
Esd test summary:: `3 h. x- \& w" q' j

4 N+ j& h) F4 i  F8 DESD TEST ! ~# V9 W6 a5 v/ W5 a
" O4 @" F1 b1 m" o* A$ V0 H2 |. ^

% {% {, A6 P. h, O" z. v9 t) |PAD
& t& {" |3 a! G/ Q5 v  Y; x

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2#
 樓主| 發表於 2011-1-5 09:46:51 | 只看該作者
回復 1# cltong 6 w8 E% L& l6 W, k0 T% z/ i
  V( X9 M8 W' S4 _2 z! R  S
整體佈局( B) d7 f. z6 r/ f) w3 {) {

. u% |  R. ^( s4 t  Cpad    layout7 ?3 R6 k; o5 `. d
vdd&pin 28-38,1  esd protection, ?) k# Q3 \% Z7 R, A* L' I% q

3 S6 v7 W) e, E8 m7 M* Upad 39 40 esd  protection$ g5 x, `* m* [& `  T0 p3 T% o

% g! X) w+ m, Q. Ugnd &pad7-14 esd  protection
3 J* M' ^9 H( Y0 V' C* `

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3#
發表於 2011-1-11 09:47:46 | 只看該作者
ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
4#
 樓主| 發表於 2011-1-12 08:53:16 | 只看該作者
回復 3# cthsu1 * J7 a/ F5 R0 J' q, j- ?, N
1 v8 b2 G& T# p

/ c" _$ s) ^: S    ESD test 結果圖太小看不清楚。請問你是不是輸入端全部 pass 而輸出端會 fail?可以提供 VDD-to-GND 的 ESD 保護電路嗎?
) \* `: B& t2 K% o' `4 ~7 S  O) N5 p" z& j# P

3 }. D: ~& _3 j輸入端基本上都 pass,而輸出端差別就大了,有兩個輸出端口1000v都沒有過,(IO TO GND +), 線路中沒有做VDD-TO-GND的ESD 保護,只有有個NMOS放在GND旁邊。
5#
發表於 2011-1-12 11:13:08 | 只看該作者
回復 4# cltong
. d  Y( b+ U( K  R8 J) ~可否把你esd保护架构做个图片发出来看看,不知道你使用的是什么工艺,在0.5u的工艺中,输入端的esd做起来比较容易pass,但是对于输出端,如果采用和输入端相同的保护结构,pass是幸运,不pass才是正常。因为输入端直接连接到gate端,通常Bvgs的耐压会高于Bvds 1~2v,我们用Bvds去保护Bvgs,所以能够很好的保护。但是对于输出端,esd发生时,同时看到两个drain端(一个是esd的,一个是输出mos的drain),那么esd性能决定于最弱的那个drain
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712
! V( W" h. V' e& P5 g( F" U
0 b) X4 V! y2 k0 W# I3 S4 z. g' L. ^" T  k8 }
   

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7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
: g* o) p7 W: S我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
  H1 S5 \! B: t: p2 K# a; y2 ?
* h9 H( `5 S+ T$ v7 i
6 X0 n, a& A# T% O4 {( x  i    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
0 t% r& U  O& a+ t: c3 ~' l8 t: g( J0 S6 `& g$ T
回復 12# jian1712 6 f, q, X- p# I' I, `, o( t) X- S; {4 p

: Z' c! f! a# ~: E  M
& ?3 T! c# C- J9 m9 C    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。  i; a. P( o0 ~7 k1 m

7 j/ ?# r1 f3 C8 E* J, z  g% \7 E% _; \/ H& R' ~* L! H. q
  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
- U: z! m( l) I5 C. q7 h. K/ G
/ d! ~) G8 q, e# v3 s7 w7 n% G3 Y, x3 E- b4 O
    " L7 J/ q  f! G+ v. [" }  p' N

  D  |5 D7 j6 o) S# [  PAD layout & display file& technology file

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16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun ( v- c2 I( M- n! D" K

4 \6 ~+ T6 f( f- Z( a
) K) L* p/ a, {- k" h    PCB上没有特殊处理
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,
7 S/ E* s/ b+ w$ c2 F若PAD沒串電阻, 就直接到gate,6 a; {' j- R3 I1 W
這是相當容易造成gate端燒燬,
. W! b! H* v  B) s) P( x  z$ c2 ]給您做參考.
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,/ l2 _7 R1 W7 D, U) @4 b
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,) g5 N0 c- ~- _1 Q% l9 ~1 e9 j
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
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