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[問題求助] 同樣的ESD設計,爲什麽差別這麼大

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1#
發表於 2011-1-5 09:34:19 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
使用的是0.5u的硅柵工藝,輸入使用的是200/0.6的 PMOS與NMOS做的保護,輸入使用的200/0.6的PMOS,NMOS做buffer.
' ?6 |9 f! S4 g3 TESD測試結果差別很大,請教是什麽原因,下面圖是測試結果,PAD圖與輸入輸出buffer。: v+ O. O: D. H/ L6 x

: k) t% h0 n5 L' i6 V: {& J) ~; KEsd test summary:( V2 _' H8 {: e7 H

8 A; @! O( f8 aESD TEST + z% s' @9 [) I+ J+ J% t
0 Q' s4 w' {0 ~/ ^! E
/ {) F& ]& M2 u/ r+ u4 z) K
PAD
! f' b2 ~) f) k& W( V6 B

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24#
發表於 2015-5-11 15:53:08 | 只看該作者
如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的
23#
發表於 2011-11-2 09:43:06 | 只看該作者
有找到問題點麼??
9 u; [: R0 L, i/ ]1 ]! T, v% c" {* v. {
圖面看不清楚無從判斷,但就設計上來說看不出有哪邊有很大的問題,這個size要過4K應該也不難
. Q  b# n, P% n: j  h有的話可能者佈局時沒考慮清楚周圍device的影響,又或者整個ESD device擺置不妥1 |6 d# }- L, [5 [) v
導致ESD turn on不均,在在都會導致整體ESD效能降低產生ESD damage( m1 [/ `) _9 b* M5 k7 D
+ q+ W" N; D2 @1 _  Q% H* X' a7 A/ k- Q
如果有找到問題點的話,記得多分享ㄡ
22#
發表於 2011-11-2 09:42:49 | 只看該作者
本帖最後由 despair 於 2011-11-2 09:44 AM 編輯 , p5 t' k$ s6 h7 j8 E! y
& j2 j0 h' a9 L7 x+ S. a! n
LAG導致連發兩篇,自刪除內文
21#
 樓主| 發表於 2011-9-18 15:11:33 | 只看該作者
esd 更改了一版,终于过了4000v
20#
發表於 2011-6-1 20:58:53 | 只看該作者
最近LAYOUT在畫ESD,電阻是一定要加的,輸出是否每個都要加,請考慮好,$ }" }& ?! Q7 g, o
而輸入是一定要加電阻的,且加到二極體後面,
* ?7 y9 O- h" Y; Y0 p* k如訊號一開始進來先看到電阻,是會先死在電阻的,
19#
發表於 2011-5-4 11:20:28 | 只看該作者
不過以5V的gate 應該不是那麼容易被燒壞的 device 導通的特性的量過嗎
18#
發表於 2011-4-6 17:32:15 | 只看該作者
對於input port,& J; R4 S1 z" _5 u
若PAD沒串電阻, 就直接到gate,
6 U, A* [) Q4 h5 \/ u- d這是相當容易造成gate端燒燬,. U, U( y* ~& `" x6 \/ d
給您做參考.
17#
 樓主| 發表於 2011-1-23 10:05:02 | 只看該作者
回復 16# spsun * y7 y/ K! f  z& S9 t
. @2 [0 A: Q* r+ {

. p$ e4 i9 k/ u    PCB上没有特殊处理
16#
發表於 2011-1-18 19:22:17 | 只看該作者
請問PCB design上 ESD保護原理
15#
 樓主| 發表於 2011-1-14 09:46:25 | 只看該作者
回復 14# jian1712
2 g$ z: `& G. R3 P- L! i1 H+ M6 O6 {- p- n" ^
; F+ m4 ~  f( b" P
   
) N3 K$ P9 M2 ?8 `- a* @8 O0 ~4 A# W
  PAD layout & display file& technology file

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14#
發表於 2011-1-13 22:05:59 | 只看該作者
输出esd防护的防护的esd方案有很多,但是加了esd防护也未必凑效。把失效的样品打开看看里面的情况吧,通过emmi或者lc定位失效的位置,然后再找出合理的解决方案。不过在打开前,可以根据layout和esd测试结果猜一猜,然后再去做FA。CSMC 0.5u ESD还是不错的。给你发了站内短消息
13#
 樓主| 發表於 2011-1-13 19:01:18 | 只看該作者
本帖最後由 cltong 於 2011-1-13 07:26 PM 編輯
, I$ @4 J% a  N' }. D, {* ^# p/ [  S8 m: D' N' l  k
回復 12# jian1712
( P* b" V, D5 J, i* I  o) |. E9 V' z8 y

1 g/ B5 W0 t5 L    是的,27-38是输入,其他的都是输出,输出的ESD怎么做才会好些?难道除了BUF还要加保护。8 U( i7 t7 w7 v
- U3 J# z5 h1 t' d9 A& D0 S

1 ]8 N% u0 v; R1 q  输出BUF 与输入的架构是一样的。除了栅接的位置不一样。输出栅接的上一级输出,而输入的栅是固定的。
12#
發表於 2011-1-13 15:55:44 | 只看該作者
输出buffer的layout和输入结构的layout是一样的么,我看到你的10~14,27,39,40的esd都不咋地,这些pin都是output吧,除了27是vdd
11#
 樓主| 發表於 2011-1-13 15:12:09 | 只看該作者
csmc的工艺,无锡上华。输出BUF的size 与输入的保护尺寸是一样的。
10#
發表於 2011-1-13 13:45:10 | 只看該作者
用的哪家的工艺啊,csmc/tsmc/hhnec/vis? 0.5u 5v esd还是比较好做的
9#
發表於 2011-1-13 13:43:41 | 只看該作者
按理来说,你直接把esd做输出buffer,esd应该很强悍啊,看来layout时可能有些地方没有注意吧
8#
 樓主| 發表於 2011-1-13 13:22:10 | 只看該作者
回復 7# jian1712
3 Z7 C3 a4 z. z0 A' O5 y$ ^; W
" ], }5 R$ b) t+ x/ q5 [# P8 M6 G! x' s; d: n( Z) b8 m
    是的,输出BUF直接代替保护。这样有问题吗?
7#
發表於 2011-1-13 11:28:01 | 只看該作者
回復 6# cltong
( b6 g; i) [# y2 K$ n我的意思是你的输出pad直接连到esd器件,别的还连了哪些器件
6#
 樓主| 發表於 2011-1-13 11:11:52 | 只看該作者
回復 5# jian1712 / {7 o0 n  N; H

* m# Q4 D; h9 D/ `1 X, v$ u
3 C0 T" W& `* `" W   

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