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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式

3 k' u3 x& f4 R" @: S各位前輩好
$ o7 Z8 V8 e2 a  V# K' h( l0 \       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,0 ?! n* i) `$ V/ Z: B" m9 Y
他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2
( [' q9 v$ S) U# Y2 J是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match )" ^7 u5 P8 p/ l5 ^
加上 body 接在 M5 的 D
8 w6 X, Z" ?2 d2 Z. g# I所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾
; `' t2 G3 E4 w7 n1 Y' U5 W/ \9 _: Q# I" i' N5 D
類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享
; H7 W/ a2 t7 m/ z知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,  d# G7 C& p1 y' S& m
外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,# z% U- M$ q6 O! g. m! S$ k
因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,
5 W% |' [$ e" B# f, ^共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,
# }; a# G' @+ u' j7 @就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已  ]  L) k& G  |4 D9 D
通常擺法會是
/ x& l' I$ W7 m( a, r% z6 J/ K2 `. LM5、M8(PMOS)' q1 c1 w" i3 @2 H( o. F7 m$ X
M3、M4、M7(NMOS)! d$ R1 Y) K" \. G' z5 d
M1、M2(PMOS)2 D" [1 j. e6 r& C- H0 S! p7 V& S# B7 c
: ]  x* {* q/ P/ k  z# M
因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間
" w2 O$ {. \) _- R! r% L  n不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709 # R7 e8 {6 ]2 j

+ e6 m+ S' r' V* b: d; U8 F) A; ^& `: a8 O6 y4 l( m( I
   
; H( I. {( r4 `) A
, ^: `' p3 w5 B+ FM1 M2 像這樣畫嗎?

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