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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
7 s2 [* h3 {' u$ Z/ F- U; y1 L
各位前輩好
8 I3 w' N8 \; U# ~5 u       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,' _4 d: l5 M$ v5 b& u
他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2
5 k# U8 X' e" }4 U是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match )" u( {" v6 n5 u. h; |$ R% y
加上 body 接在 M5 的 D
/ b% C0 N$ q: K: \所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾
- B: w# u- a2 r4 x7 `0 i. @" |- y1 B3 r' \8 d
類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享
* ?" w; }' i/ T( Z. p4 R知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,/ g) m9 p, F" M2 _+ }; f
外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,
/ K5 Z7 d" J4 X1 ~因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,
& e8 B- N% |" j. l$ Z共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,; y% d- @8 C6 g9 A# l8 o# l
就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已8 n; Q. T0 h! g% `9 i+ }5 e8 C' w
通常擺法會是
% r$ B) S# E4 c' k1 J) ZM5、M8(PMOS)3 g) e4 l3 F& ~: N
M3、M4、M7(NMOS)
8 ?/ I( `0 ^6 [" ?9 o$ IM1、M2(PMOS): L; C% I. p+ Z9 I  B( C' x* H& N1 \" S( M
6 Q/ ^# f$ s5 P" D% l! W
因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間8 O9 G7 G6 b0 e, k+ e5 e' O+ }! W
不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709
) i0 p. z$ \- E; Q
2 i- B( W5 b3 o+ _& r# B5 u4 R- O  y' m3 F, J! s! c
   
$ ^0 m, ?3 @8 a1 v! [# m2 n/ t- X% n' b& Y
M1 M2 像這樣畫嗎?

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