ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
0 i( O! d" ?3 O9 g: t2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
' P7 F* m& Y& i4 v4 r1 e7 B电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
8 ?% q5 Z3 U+ ^* R6 D失效机理是怎么会事，多谢

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
5 l  \+ i- p  g6 y1. 請問製程為何?
, n) q. J. C' k5 t) U8 b# ~2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
& X, c% R7 B6 o# }* nklim 發表於 2011-1-18 14:32

% `% ?9 O7 q% i6 E. Q
% g& J% \& e7 ?! H  F. P7 R7 _1), 請問製程為何?
& B$ ~& R! |. J* n2 a0 S tsmc 0.18um
" e! q4 E2 G  p, J, j, G. H* _
- }. x! ]$ }3 C2 f1 M/ E2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路