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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
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2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ..., ~/ l& F0 Y( y+ | O) A
klim 發表於 2011-1-18 14:32
4 p5 l0 n# l2 Q$ Q0 a) T
9 q) B; ~% d( V2 R3 E1), 請問製程為何?, R: e# y7 v* [- H
tsmc 0.18um 7 X% S' L7 _: N% t/ K6 \, D
g8 l U& j# }! }. q2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...- Z3 l8 ~: H# U H
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打
% C' k: j7 |+ M- {$ V0 {4 G/ W
2 m" j7 ?( h I1 G Z0 {' E" N3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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