ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
' s( i5 K0 W9 J2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
$ g1 k& j8 z( F! }9 ?, s* r1 u3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
8 n; \1 m; L$ O6 I  f: E要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
+ p3 u; }4 m% p7 I5 q1. 請問製程為何?
: |6 c2 b  C) {& m" d; v' F2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

) I0 u) H) w  G+ [* O) D3 D( R
1), 請問製程為何?
* h' U5 o9 c! ^- I( S8 m4 T tsmc 0.18um
5 j1 X% Q7 x' r
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
& V4 Q; k* U. [3 b. W. ]' Y0 ^两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
- b2 H* S- |+ u1 n8 P0 `3 j9 J方便貼圖上來嗎