ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
4 }: W& w- \" r# [2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
! E; X1 D4 r* l* }+ d, e电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
' z7 v: k, m1 l7 Y( q失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
* \2 {& ]* J6 U# c$ d3 d' I. g& T1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
" H# i  [3 T# b9 _. Z& `0 C# Z要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
6 `3 |: Q, z, S1 Q3 q1 B2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

' d+ r& O1 ?5 z
' U+ B/ {4 W. f& S6 w1), 請問製程為何?
5 E) z9 q) y; D& I& v: e tsmc 0.18um

/ C1 S7 K. g7 u2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
- Q: T; p! U/ i' s+ g两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
" `" L! s: a, b/ R7 o2 e5 `; v) c均勻是指什麼
# \1 e  l1 r2 E+ p+ b1 w方便貼圖上來嗎