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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
% h! ?& u6 p- h" Q6 R1. 請問製程為何?
5 h* F+ q5 z5 O. k1 k$ |2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...- g- l" g/ w9 i% P: i' }
klim 發表於 2011-1-18 14:32 0 G# U! S# h B
# F+ U! L# }, o$ ?# C% r
1), 請問製程為何?: [( k9 W1 A' j
tsmc 0.18um # n# l( O+ G" p' R
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2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...0 f$ c, \) O6 V1 z$ s6 m
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打/ x' u% F o! \: Z
/ D* n9 s7 P9 }* b9 Q7 t" R
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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