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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:' x! _1 H. J7 N) f/ {
1. 請問製程為何? { [+ i: o) X% L
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...$ ]4 q) V- r$ N& P. V
klim 發表於 2011-1-18 14:32
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2 S3 z% ]% N- L; a4 m T: }/ k1), 請問製程為何?
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o8 x4 j# w* h$ Y9 w3 p7 o. j两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打- Y: |# O) D6 I) _4 Z
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3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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