ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
; z) r9 G2 {$ a# z3 m& Z1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
" ]" U% ~5 z# F  {# ?4 u0 ^9 G9 Z电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
/ K6 }' `* u* A* Q  {+ r. t5 S1. 請問製程為何?
. [2 n" G# ?( r# Y$ G2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3 t+ b! ^- i" c$ m3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
, X* W2 [+ y3 ^8 r1 n1 E要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
8 n7 I/ A0 Z7 `1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, r5 X, e  d- D# K6 rklim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
$ ^. `, C  Y# l) j) U% k tsmc 0.18um

- J) V) G  p' j5 e7 p8 l. Z2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
% M7 z9 v3 |  O9 s6 @4 m; |两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

* e0 u. z# a# O1 m, r! ]$ Y- X3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
& w- }# V8 `9 y; K- I$ x7 l9 p& t均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎