ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
: B# @4 r, Y9 {! E6 r! y2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
8 M& `6 `# W$ F2 e4 b+ m4 g* j# b电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
! I5 X2 M$ s8 y0 H# k: I失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
' H  e7 M/ p) y1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

* j+ q$ j, }% r
1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
& f4 j/ f6 N- y4 H  j" n) ]
( m' @+ G+ r5 O4 p2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
1 S/ g; N. B, @6 P两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
2 h. B2 _! I/ R5 ~
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
# d$ Y8 M, y9 y! C! W方便貼圖上來嗎