ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
* X# M: I7 O+ r1 S# L, |" f; d1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
9 o" W+ g  v% s' [! A: i2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
0 {% J) a  v' D, Y& V% \! y失效机理是怎么会事，多谢

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
0 n! J( N, g' r6 d均勻是指什麼
# z/ p. H) m* `- N( }  y方便貼圖上來嗎

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
' u) C6 i. N3 Q( U6 g/ \6 i1. 請問製程為何?
) y# L. M' j# B9 X2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

8 t& M4 w% k, J1 q3 E, K3 p1), 請問製程為何?
1 E9 W) a  R) S8 q  V tsmc 0.18um
% B* k0 S/ B' x1 E- C6 x) c/ e
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
$ ]3 ]. L0 |# B5 ]* M: M5 [9 [
* w9 \7 c9 F' n7 l4 L2 e3 q3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
' l0 t; |% u- W* y  _9 R1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.