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[問題求助] latch up

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1#
發表於 2010-10-27 17:11:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我想請問各位大大,) z+ q) `. L5 w2 I7 U( B
在LAYOUT時會做哪些技巧來防止latch up發生??
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2#
發表於 2010-10-28 14:19:24 | 只看該作者
關於您提到的問題+ U  n9 a% q( M+ r5 H9 Z: o
板上先進有比較詳盡的解答了5 `8 i7 G( P. p- o) F6 T
參考這篇吧
1 @8 {! H& D% `4 @5 I+ U5 J希望對您有幫助
, A. N" Z% e( D: z: U
$ D* B1 j5 {3 jhttp://bbs.innoing.com/frame.php ... 6extra%3Dpage%253D1
3#
發表於 2010-12-22 09:14:44 | 只看該作者
權限不夠看不到, Q5 d8 [; ]0 A& ]  [
來鑽積分
4#
發表於 2011-1-18 19:16:13 | 只看該作者
權限不夠看不到 $ M7 I# W2 v4 U
來鑽積分
5#
發表於 2011-1-26 13:38:20 | 只看該作者
最簡單的方法是多打一些 * v  F, F6 O! h; h
body contact  將低阻止1 p$ j% \1 o. ^& m  W4 L$ `! C& @% K
來防止 latch up
6#
發表於 2011-1-27 11:19:51 | 只看該作者
多打一些contact,或者讓mos vcc跟mos vss的contact離遠一點,不要靠太近。
7#
發表於 2011-2-21 17:25:49 | 只看該作者
防 latch-up最有效的方法当然是拉开P/N mos管的距离,这个是要面积来换的。/ B3 t1 b- |& H" g7 k
如果你比较care面积,可以把souce段的contact往后拉,尽量使VDD与VSS的距离大一些!
8#
發表於 2011-4-1 14:19:18 | 只看該作者
DRC 的檢查都有 latchup 的項目. Pad 的部分應減少 Rwell & Rsub 阻值.
9#
發表於 2011-4-19 10:14:08 | 只看該作者
簡單來說加RING
7 }7 h5 s4 k7 n, {. @不要造成PNPN結構,若有將距離拉開
10#
發表於 2011-5-12 11:51:38 | 只看該作者
權限不夠看不到 6 E& E9 z3 B6 I" n9 y2 {' M8 U
來鑽積分
11#
發表於 2011-5-12 14:19:27 | 只看該作者
嗯嗯...我知道的各位前輩都有說到喔....
12#
發表於 2011-5-19 15:23:12 | 只看該作者
權限不夠看不到...希望有人能分享!謝謝!!
13#
發表於 2011-5-23 16:34:39 | 只看該作者
多加地,P/NMOS间距拉大
14#
發表於 2011-5-27 17:18:46 | 只看該作者
权限不够
5 s0 S) q  v$ S. j: o您的帖子長度不符合要求
15#
發表於 2011-6-1 19:58:19 | 只看該作者
把CMOS操作於低溫中,溫度降低BIOPLAR元件之電流增曾變小,使NPN及PNPBIOPLAR元件之電流增益乘積不易達到1。----這是我的解法之一。
16#
發表於 2011-6-2 16:05:56 | 只看該作者
我怎么又看不了.........
17#
發表於 2011-6-5 20:41:56 | 只看該作者
我也想看,可惜,權限不夠,不知道,我只好加油一點了哦,謝謝哦
18#
發表於 2011-6-7 19:38:28 | 只看該作者
動真格認真的說,產生latch up並單只有在ic layout,製程或rd設計的電路也可能latch up的狀況產生,
19#
發表於 2011-6-8 09:55:02 | 只看該作者
權限不夠看不到# o! H+ q2 G& Q/ N' c; `2 _
..............
20#
發表於 2011-6-22 04:45:49 | 只看該作者
權限不夠看不到 ! 4 u  f' c4 w5 l7 t7 A/ @* u
來鑽積分
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