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[問題求助] mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀?

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1#
發表於 2010-6-8 15:08:59 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
mos管串联使用是不是相当于增加了管子的L呀?串联的两个nmos管的sub均接gnd。& `! m7 e" g; \& D3 W/ C) i
哪位大大能帮忙解决一下阿??
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2#
發表於 2010-6-8 19:14:42 | 只看該作者
恩,但是不能理解为单纯的L=L1+L2,因为前提是W1=W2~~~
3#
 樓主| 發表於 2010-6-8 19:24:14 | 只看該作者
本帖最後由 hitxiaojun 於 2010-6-8 07:25 PM 編輯
' y5 E9 F/ |" X8 {% x; \( m  {. I! {: _' K# }9 \' w0 D
是的,W相同,这样做的好处是什么呢?最近在对一个芯片进行电路再现时,发现其电流源均为串联,比如两个w/l=1.4u/1.45u的nmos管串联放置,为何不用一个1.4u/2.9u的管子呢?因为串联的话,总是有一个管子处于线形区的呀,那样的话,电流源的阻抗不是就变小了么?
4#
發表於 2010-6-8 21:14:52 | 只看該作者
恩,是这样的,但是如果是电流源的话,串联起来的接法镜像电流的error更小~~~
& e, t. E! {6 H忘了那篇paper有提到过~~我找找~~讲bandgap reference的
5#
發表於 2010-6-8 21:18:40 | 只看該作者
好像是:Design and optimization of a high PSRR CMOS bandgap voltage reference这篇有提到,好久没看了,你自己看看吧~~~
' E( P  P( g2 P附件不知道怎么粘贴,你自己看怎么下或者有需要我email你
6#
發表於 2010-6-8 21:19:58 | 只看該作者
具体就是这样的电流镜结构的镜像error会小些~~~
7#
 樓主| 發表於 2010-6-9 12:55:02 | 只看該作者
回復 6# Zuman 9 g5 o9 b* N8 M7 _
谢谢大大,我去把这篇paper下下来看看~~~
8#
 樓主| 發表於 2010-6-9 13:07:39 | 只看該作者
我看了里面的说明就是说了一个结论,镜像error会小,有没有相关验证或者推导这两个结构具有相同的电流函数的资料呢?我印象中好像专门有人推导过这两个结构等效,忘记了是什么资料
9#
發表於 2010-6-19 11:09:37 | 只看該作者
一般这种接法的bias都是给cascode提供bias的,这样的话给mosT引入一个体效应
10#
 樓主| 發表於 2010-6-28 20:36:20 | 只看該作者
那如果是做单电流源呢?做current mirror的话,这样有没有好处呢??
11#
發表於 2010-6-29 09:46:28 | 只看該作者
这样的链接方法肯定有一个管子处于线性区
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