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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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samgu
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1#
發表於 2010-5-17 10:19:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我的layout工作，主要就是在畫POWERMOS
: U7 X% D8 R+ D' m, G3 Z9 V" Q; Q& q! ]工作這幾年間嘗試很多做法，但是一直無法找到: r  V9 ~2 a6 W: h' x: G. L0 S( x$ O
一個最佳的layout,也可能因為我迷失了，希望可以透過大家的經驗，) k2 s$ A8 U% r2 j
激盪出一些新的想法，請大家賜教，謝謝
& K) t' u( w6 p8 h5 J4 U$ c; m; c+ f% E  L0 w* o8 {
簡單說一下我的心得，
* _/ o8 m" d2 e. i; ^1.若用MIN的RULE來畫MOS，相同的面積可以得到最大的width，最佳的Ron，最大的電流; ^! R- [" n4 |
   但是必須承受ESD是否會對MOS造成破壞，因為DCG為 MIN RULE& g4 m/ k3 E& c" b; @$ Q% {
2.若為了兼顧ESD則會浪費面積，犧牲Ron
5 M( Y3 d4 ?- l% j8 h& n3.若要兩者兼顧，面臨的問題則是 1.ESD rule 要放多大，2.butting contact and source contact 不足
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pph_cq
2#
發表於 2010-5-17 10:33:12 | 只看該作者
我们一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly是0.4，我们可能会取1，如果觉得太浪费面积，可以用bent gate或waffle结构节省面积。
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shangyi
3#
發表於 2010-5-18 01:20:31 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法& L8 U) n5 u9 R/ N

- B; r) c# Y* _2 \, n4 S: C那種比較好... 我也不清楚哩!
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腳踏
4#
發表於 2010-5-18 10:29:04 | 只看該作者
看過finger, waffle, 井型, 六角形的畫法
7 [% j& M: j; a1 x4 g7 v! o5 O- m3 X: @4 J7 |3 V' `0 {) [. a/ {6 R6 f8 w
那種比較好... 我也不清楚哩!
" n9 Y3 }, d8 b( V  Y% Cshangyi 發表於 2010-5-18 01:20 AM
( b; @  z+ ]/ w3 C' W+ t
9 e8 V5 t  O1 f1 ?2 I* p

4 D, F/ s% w2 \: Y6 P* G- [    我也想知道那一個比較好' M* |0 Y& _& o% r" ^+ {% I
   有人知道嗎
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shmiyi
5#
發表於 2010-5-18 13:52:57 | 只看該作者
要從製程上研究MOS的變化~~7 `2 n* q% ]; `: A
相同製程不家的MOS的參數變化不一~8 G9 ]$ l. w$ ?7 w& Y. `# q
即代表I-V CURRENT
$ h8 I* P0 v; N6 O3 N9 r1 E所以我覺得好像不是看畫法
3 [. i! m7 _6 R' S( g8 o* r. t要從看MOS的特性去研究~~
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6#
發表於 2010-5-19 14:15:49 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
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yuany
7#
發表於 2010-6-9 01:23:25 | 只看該作者
学习一下～～～~~~~
6 Z+ r+ l) \* I8 i$ x1 m7 F, H% L
2 q! C% q0 ?: E3 H5 K  A/ b呵呵
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8#
發表於 2010-8-7 09:10:44 | 只看該作者
Nmos放两列cont比较好，Pmos单列就ok啊，如果W比较小还可以另外做ESD
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9#
發表於 2010-8-9 10:20:23 | 只看該作者
回復 8# junxingyu ' p% l; I9 T. s7 {, N

. ]" w, m" _5 k# R, ?這個說法倒是不了解！請問是經驗嗎？
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10#
發表於 2010-8-9 10:21:34 | 只看該作者
其實最有效（area最小）的是waffle, 井型, 六角形等，但是要process支持，還要留片驗證！
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11#
發表於 2012-3-1 20:27:54 | 只看該作者
感謝分享感謝分享感謝分享感謝分享
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photoss
12#
發表於 2012-4-9 20:27:53 | 只看該作者
最近正在研究powermos的畫法,挺受用的,感謝大大分享
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13#
發表於 2012-4-9 20:54:36 | 只看該作者
finger,井型, 六角形的畫法,再搭配ESD rule以1:4畫法,
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14#
發表於 2012-4-10 10:35:52 | 只看該作者
各位的这些方法请问有图片作参考吗？？没花过POWERMOS的表示很无奈啊= =
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photoss
15#
發表於 2012-4-10 17:17:21 | 只看該作者
现在急寻power mos画法现在急寻power mos画法
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930709
16#
發表於 2012-5-12 21:40:35 | 只看該作者
看是面積還是效能阿!!
" |0 u$ G3 Z! j0 e可以給我一些不同的意見嗎?
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17#
發表於 2012-8-28 22:57:30 | 只看該作者
正學習POWERMOS的畫法，感謝分享！
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alex13
18#
發表於 2013-2-13 10:44:30 | 只看該作者
回復 10# semico_ljj 6 q5 L" j2 ~7 ~

# l4 B4 U1 z/ q) P' s- ^: T% D* L0 q) R) B+ \# N
    小弟問一個蠢問題，Area最小是指Ron相同的前提下嗎?7 |4 J: R, h6 F- v) G% h
感謝先進不吝指點，多謝!
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19#
發表於 2013-3-5 15:17:46 | 只看該作者
看不懂。我想只是PowerMos應該考慮的是散熱及最大電流吧。最大電流與線寬直接相關，散熱與面積直接相關，應該都有規格表可以参考吧。
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20#
發表於 2013-3-21 22:52:54 | 只看該作者
一般在最小rule基础上适当放大，比如最小contact to poly
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