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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias: E$ a5 }6 b& f5 z& Q

4 g+ ]9 e: d( L+ \: d  upoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
, U. h* R) C% P3 `1 S  h1 ^5 D大部分是要match
  y7 ]( u- J8 w; i: aMetal poly  density  不夠
$ }3 P1 U6 q* ?+ a$ O2 R加ㄉ那些也較 DUMMY
0 a! C% }9 b7 z$ M. J1 l8 X  C把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
, Y2 h8 Q3 B4 r+ {; x
# i5 ~8 V/ A+ |! l& I, j9 N7 c: t: f6 c8 `( l) }% n; F
    感謝樓上的大大" `; T- `2 |/ h9 G
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 0 v- m4 M6 N2 V7 F: K  q. I

) K. y8 ~% F6 a) `) ]
+ Y3 J# S. `7 [+ ?9 G    感謝您回覆的這麼的詳細
1 l' c  L9 v& _) m您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
' V/ d4 v1 a, Z6 x5 F# y3 V: y  _2 x% h; N( G4 \
不過簡單來說5 A1 S6 j! g2 |; T8 a* p! I
在製程時食刻會破壞掉你的元件& z  F6 i# g4 o( g
而特性就被損壞- v+ ^% o) R- L; x- ?: @6 X
0 U! p% D/ Y, J' Z
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>1 d5 Q; A$ A( q' \; A# a0 s/ q$ }
所以蝕刻吃他最多
- N8 R/ y( |: t& C" ?0 E$ t主要部份特性就不會被破壞3 @8 x  R3 k) S8 T* {
) |2 @5 k3 s2 o6 A/ j& w7 u8 e
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
/ t+ q  h0 k  P: G所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 E  S2 ]7 j9 T9 ^
; x3 h+ W. S" R7 N! V; @1 I又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加2 g' f6 B. s$ e! d
還有電容也要加
  U5 e8 E7 @# Z0 D若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
3 P" m& ~$ G5 o! B: ^4 `
2 G! S  y" T1 M/ e! ]' ^4 `and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
" R1 e; \% ?7 w, ?$ evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
0 j- U( A3 {' i% u
, }/ R+ y, O4 @  z
) I$ }6 U1 ?% ?% l8 O
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
9 D8 c* ]: N9 s& L2 Z9 F0 |
$ i9 i" ]4 i- b9 \; v( |; S如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??8 x" |; o9 \- v. }0 a

! Z+ X9 R9 |/ X+ o4 l數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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