需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
, i3 T% w4 R! ~4 f. D2 J
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
+ i$ n. T3 q9 T大部分是要match
( |- ^: R8 p2 qMetal poly  density  不夠
! F$ p- r. N! J1 G6 \6 R# C加ㄉ那些也較 DUMMY
; s4 K. x" W' F! V把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

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回復 2# motofatfat
: D6 V/ R# Y9 H1 ]6 P  }; `

    感謝樓上的大大
+ h( A9 [1 C  w# Z0 a   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593

* s% {3 M$ J# @( o& B
: b) S8 u% ~+ [7 z    感謝您回覆的這麼的詳細
: |% F7 t/ T' _. x4 c您真強

bernie820

某樓說的很對!!

8 X! Z0 Y$ n4 C- H9 P3 I  F, L# ?不過簡單來說
0 u+ ?$ v( V# [  W在製程時食刻會破壞掉你的元件
! ]7 S! }! Q- A而特性就被損壞
& a$ b2 k. Q, |; c* o3 I/ g
; M9 R) J% a$ u# v若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
! M& u2 d# n7 N/ e1 D  m) f所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞

2 P& m2 d9 s0 j: n$ ~% v5 P很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
$ i+ v, `3 k2 R2 w- _: U% _) A7 r所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享
. X$ U. O9 a! y1 \
又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
$ ~7 g5 U: n6 v0 a# b9 H還有電容也要加
, L0 e7 [- j) F" L; E, r若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!
- W5 |( [& A9 ~1 `, u1 w
and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 e, H" h) Z' v4 @" e" j6 Qvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

3 W& l' n& X% n  R  F如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

% k( @$ x7 H0 B* ?數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.