設為首頁收藏本站
開啟輔助訪問 切換到窄版

Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步，快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
12下一頁
返回列表 發新帖
查看: 54436|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
372412
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂頂31 踩踩 分享分享
回復

使用道具 舉報

推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias9 C0 Y# l# ]8 G  A# E/ i# Y

! z( f, ]& M4 apoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% l: R! m6 I, Y+ _# j( |
大部分是要match7 L+ ]7 j% u8 h) v7 j8 F5 U
Metal poly  density  不夠6 e* R  [& ?2 c$ u- V; d
加ㄉ那些也較 DUMMY 6 |, r* _% P8 z3 A2 J/ A
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
回復 支持 反對

使用道具 舉報

372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
6 _7 v3 Q) @" S. T( ~& R1 }" q$ V) _1 x% d2 G+ Q) J) {' Z
: t9 E0 R. C8 A- p3 m
    感謝樓上的大大
, N* W+ z( E) Q% \9 E   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
回復 支持 反對

使用道具 舉報

zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
回復 支持 反對

使用道具 舉報

6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
回復 支持 反對

使用道具 舉報

7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
回復 支持 反對

使用道具 舉報

372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
: R7 I; B9 K: D! \$ I' D$ F
$ W: T& E3 ?' E: _
! C) g/ `% U  ]) F8 {) U  D* ]( k2 L    感謝您回覆的這麼的詳細3 o* k+ a+ H9 U% F. t- E1 D
您真強
回復 支持 反對

使用道具 舉報

9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
/ Y5 E8 O9 G/ m. N9 [2 [" W! X4 x3 R( Z# g
不過簡單來說
& P5 H; M; x3 U0 v在製程時食刻會破壞掉你的元件
* x; z! ~5 O- f4 U! Q4 W& Q$ L1 {8 `而特性就被損壞  m( ?( N) }% b, Y6 g
; U5 Q; D- l! @; \
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
/ C% j  S* K. n/ S所以蝕刻吃他最多: P- {- m1 Z" u( m
主要部份特性就不會被破壞( f0 Y. f( E+ q
# {' J- u2 R  v) _
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
3 m- s& T' `+ s2 C所以可以多找網路資料也有
回復 支持 反對

使用道具 舉報

10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
回復 支持 反對

使用道具 舉報

11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
( m) q, K- u2 H) S. ~- C2 |/ B$ T9 @' W% c* @: g. v
又學到一個知識了!!!
回復 支持 反對

使用道具 舉報

鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加
: G. j4 g8 p' p還有電容也要加! H# J( B: \$ a; o
若有空間能加的都加也無彷
回復 支持 反對

使用道具 舉報

13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
回復 支持 反對

使用道具 舉報

14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!+ I: v$ w  p) X7 g' M

$ y1 w- |+ s) g& s; l8 m' Land i love it!!!
回復 支持 反對

使用道具 舉報

15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
回復 支持 反對

使用道具 舉報

16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...0 g0 C, a! M! O- Y- i1 t! f
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 ^  ^) j& z  A" i0 o0 b
& R0 n8 V7 D2 }. N- v, Y5 Z" R  P% u4 Z; n# f2 I
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
回復 支持 反對

使用道具 舉報

GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 x1 \# v) i; Z% F/ d8 M8 B2 `
2 y* E& G$ R& ^% N2 ~1 W# O如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??  _" I! q6 `) A& S* i/ y  L# o, Z

. {$ r6 R, M( ~1 o, G9 C" a數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
回復 支持 反對

使用道具 舉報

19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
回復 支持 反對

使用道具 舉報

20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
回復 支持 反對

使用道具 舉報

下一頁 »
12下一頁
返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-12-4 10:43 PM , Processed in 0.177010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表