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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 P; b0 L2 g6 C5 ?3 G* Z! x5 X( o/ I6 a$ |- O9 c
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密4 ~! D1 ?+ Y# r6 J; O
大部分是要match
& Y( _- P6 v9 [$ UMetal poly  density  不夠# \; `) o5 R( U8 `
加ㄉ那些也較 DUMMY
- a; s" F9 B# a6 ?7 E5 ~把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat 0 T8 B8 e8 ~7 W% P0 i' K4 W; n
: C" L. \- n; A( H% ?
' T6 l" z, A8 D( _2 s" ^% Y
    感謝樓上的大大! r1 ~) h+ ]' C
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 , C; Q8 r3 H0 V% M8 D8 T1 S7 T

4 M. y9 l, Z. K8 [
7 O' X  ^! R. a* H4 Z2 c    感謝您回覆的這麼的詳細
6 j/ w$ X& B7 }* ]$ u( Y8 E您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
% `- s) v% |, W( i' N1 ~; ^% [; p( @9 H! F) g  z
不過簡單來說" ^$ M7 t& I/ f1 n2 O
在製程時食刻會破壞掉你的元件7 T1 ^' h/ |4 y$ w
而特性就被損壞
  p0 {, u5 ?/ m' h# A$ I- }' u' \8 M+ f4 K: {6 h& p, X
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>2 K$ X9 m( u; t; \0 w& z7 Z4 F
所以蝕刻吃他最多
( P9 F" Z  P" U7 G主要部份特性就不會被破壞
1 y5 W5 v+ y8 U8 E
6 y8 _+ L% r- O. Y7 ^5 h很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
5 {+ g" g1 k! x8 w( ^所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
1 _4 \- a) L6 @- Y4 g7 W$ g, K7 p8 I5 G/ t3 c! P0 h) f& I
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加8 T) f' y0 [+ ^1 W/ w' `
還有電容也要加
; b; ^* @. Q/ K' }2 M* }; U9 o若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
5 K0 O" Q, i3 ]8 a$ e1 o: X% R/ h0 c4 M# o* ~, e
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
: G/ P, _4 K; w6 H, q" evincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

! l# a# V; ]0 `. f$ j. @  T  [) A- g9 l$ [6 ^" s' `. Z6 s
& [5 O' s( v, C+ }
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
8 J, Z1 N2 |: S+ v6 E& P
& `" r2 S; W7 ~* o. i8 S6 N如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
8 ^1 O3 E% o- z3 j" D5 X# {. ]& R* L" E0 g, T- |
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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