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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
; V2 E6 @5 ^) u+ Y5 X( e9 Y
. @5 W0 R: A  K* ]8 I( {& ypoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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2#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% q7 b, [# ?% \4 N/ Q
大部分是要match4 |0 m# D, D/ e& d
Metal poly  density  不夠
( o, O6 t0 J, }: O/ J* r加ㄉ那些也較 DUMMY
1 g5 o+ b. R3 S, _% n2 B把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
3#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
" @& T0 w) D7 s9 V/ r
* R  a/ C. N: f& o" I- {' N1 I* q2 ~+ T8 e% E
    感謝樓上的大大5 ?9 t9 w' U8 e- h
   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
4#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 4 S# Q7 N1 G# Q0 p/ l, J3 @. k$ Z# D4 a

/ C! b2 Q% {) e; c
% H* }! ]- x7 J. K! |- t# M% q    感謝您回覆的這麼的詳細; S# Q* i3 @: `
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
0 M  o5 C8 m% d0 B/ C4 q8 \' ]& Z% r1 ?! ~
不過簡單來說
: V3 _/ ^+ C  M( r在製程時食刻會破壞掉你的元件5 O( P* D) E  w% d2 T- O
而特性就被損壞
  b3 f9 o* s4 e6 s" R0 `5 A
8 S* C& x% X  I- `  i. l9 w若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>0 ~! L: u0 N2 ?* Y" l5 h
所以蝕刻吃他最多
1 D+ {1 t& q6 ?主要部份特性就不會被破壞
. V) p& j& h" x' c! ^/ T0 F( [% f$ y: P: o
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>0 w3 x/ F- v, K8 y0 p! U  d* U
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
/ @( Y+ G0 n# ^) m) r
: F! b) p% b! a/ F0 h+ y又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加5 C" ]7 M5 t: N$ M, T% C9 j* u
還有電容也要加
' ]2 b/ X* Z" M; @( o3 m5 r若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
' G% I2 T9 B7 ^/ n
. z1 ?- w9 H1 B3 W, o: B3 Land i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...+ @7 i' [  Z2 g
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

+ |* k* @5 Y: `2 G
, u, h1 w4 l+ A5 k- B
8 `- o$ ^& d6 U5 M    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
# l/ S& Q6 c7 x- d
3 h6 B: O5 p& h5 d8 e如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??( @2 e( p& v9 U' d) ]5 q; ?/ x
6 ]3 }" }* ]! L+ L+ ~2 z
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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