Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 51956|回復: 30
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂30 踩 分享分享
推薦
發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias8 ]( K3 V8 U, o* M

" y3 d) ]; F4 npoly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

評分

參與人數 3感謝 +30 收起 理由
段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

查看全部評分

回復 支持 1 反對 0

使用道具 舉報

3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密# {. e5 `* y; E! U0 _
大部分是要match$ S, t0 ]5 d# X( T5 G1 V! F
Metal poly  density  不夠2 E. k" Q/ m! v5 Z& E: o" w
加ㄉ那些也較 DUMMY
) a& A9 |1 ]5 m/ w" w  m) f3 m; x把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat ( n8 F& G2 N( ~) N4 u; N
3 J3 c4 w, `- S0 s( {4 D' e

2 t* P; a, D7 Y! M1 X    感謝樓上的大大
( n; @* x0 b& ?   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧,一般就是匹配啦,要求精度啦
6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊,菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
+ ]- p: M. H$ l$ C7 P" _) _5 ^& n$ s; t5 m- f7 I9 p" ?
# I: j' Y+ E4 y
    感謝您回覆的這麼的詳細
  f* n* j( X' V5 ^+ a) S( _' K您真強
9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
. ?6 q( n$ u# Z7 U; _$ P/ a+ q. o% `7 O6 A! W
不過簡單來說
4 t5 R8 I" h( V在製程時食刻會破壞掉你的元件1 W  s" M7 h6 w0 A3 i5 e& P  ?# I
而特性就被損壞& l9 T7 e9 q: q: I

- x4 P& X8 _0 t7 U0 e/ J- ^若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
' ^" \; x; n- Z* h所以蝕刻吃他最多
" d% i) f, ^5 z- B; C2 n7 ?% n+ P主要部份特性就不會被破壞
2 A" _3 [4 s8 q5 z9 b: Y+ E7 S* @& H# C4 W  L1 {; j
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>2 r. y5 `2 B* o) f. B' j
所以可以多找網路資料也有
10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享. {+ J5 y0 q$ {- H* M

$ L+ e5 H" v6 `# i; T又學到一個知識了!!!
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加" w. e" u, C0 V( C+ m2 u# }# T, Z
還有電容也要加
, J1 v- T: @8 c: u若有空間能加的都加也無彷
13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”,这倒不一定!普通的补偿电容不用的
14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!$ J; K6 F( V0 k+ g

1 K# a7 A! s( _; q# M; |, aand i love it!!!
15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB!好人啊,讲那么详细!
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
1 z& `" U# G' i7 y8 T$ u' Tvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM
+ C* H9 ^1 ~1 {8 e: r% Z/ C0 I. w
" f% J8 \% q3 b' F4 k, r
7 @$ ?+ i7 r# q! ]  d
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢?
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
5 u- @4 a7 l( R% w) B" K* t. m' B
& b' {" M! e% ]% U3 I如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??$ u  m7 Q+ M1 U% j3 p* ~9 ]

3 X& W8 _: O& `6 E9 k數位電路 加MOS DUMMY 是否很浪費呢??
19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-7 12:35 PM , Processed in 0.123007 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表