需要加 DUMMY 的時機是?

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需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?

vincent_p0593

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias
5 Y) n$ A  `% e, G# {
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

motofatfat

看你的DUMMY指瞎密
大部分是要match
0 R5 A' U  b3 w7 _: QMetal poly  density  不夠
加ㄉ那些也較 DUMMY
把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY

372412

回復 2# motofatfat
) @3 w( s/ _0 h3 ^" t" y5 n+ t# e: p

    感謝樓上的大大
# A; \8 L0 l4 ?1 L' `2 n% P   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy

zhifj86

2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦

chaojixin

楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………

levimax520

原來不同的元件也需要用到DUMMY阿

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回復 5# vincent_p0593
8 d; T, r/ |0 Q5 r

/ R8 S$ {2 E$ T4 Y; J    感謝您回覆的這麼的詳細
5 S# M- Z5 H5 `) O您真強

bernie820

某樓說的很對!!
, y9 g  o- [8 q. X) Y! L. E
( ]! z" e$ N0 c# R5 N: `% h不過簡單來說
在製程時食刻會破壞掉你的元件
3 N1 O& k) i2 @- d. @3 S* E而特性就被損壞
2 T. k2 \5 _( _8 }
) Q' p5 D- f: V3 _, L8 |+ R. W若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
% Z" _; X) p: V所以蝕刻吃他最多
主要部份特性就不會被破壞
. N0 u7 P+ H% \& G) t( w5 K3 d
5 e! v- @" I$ L2 P6 X" E很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
所以可以多找網路資料也有

xuguishuang

5楼分析的蛮详细的。。。。。

u9513349

感謝大大的分享

又學到一個知識了!!!

鋒鋒

op的差動輸入我是一定會加
/ E0 H1 a  c: M- K還有電容也要加
若有空間能加的都加也無彷

semico_ljj

“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的

u9513349

thxs for your shows!!!

and i love it!!!

chone1205

通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容

chaojixin

5#NB！好人啊，讲那么详细！

pph_cq

一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

# [1 m) P( Y# g% j+ o) L" w
8 X  d+ K( ~/ h- D" }9 D: k    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？

GU

想問一下 dummy metal 是什麼東西??

: p6 l9 R# @3 P/ Z6 E9 C/ k如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??

  J2 F7 h2 P( p. z數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??

chone1205

加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕

吳龢峻

dummy device 也可當 redundant backup devices.