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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias4 Q+ f& \2 b4 H9 c1 u8 i" g
+ c: L+ [8 j, N, l/ ]# }
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密% I; c7 F: \: [1 J6 K! p- y0 c
大部分是要match
2 C6 e) e( @% `9 ?Metal poly  density  不夠& G: r5 P" x+ p
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ d% m8 l2 i5 ]9 ?/ y- l; W把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat
* b& U1 \& W7 y2 ^8 a, |2 T+ T0 n% a/ X8 Y6 Z3 R/ F- M* b& i
3 y/ n% d3 y0 |; |3 Y! H
    感謝樓上的大大
; i) H0 q3 l# c& G   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593 8 v, o. F5 d- d$ b9 _+ g) U4 l
0 X& ?/ d0 g: W# C! M
' G( w% a. j, V
    感謝您回覆的這麼的詳細
: O; Q) F- D/ Y您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!2 J" E/ D2 R' {0 \% ], Z9 r* y
: n. s* H  {; s2 p, T) \/ f1 _( N
不過簡單來說
6 E5 s9 Q5 B; `& T" _在製程時食刻會破壞掉你的元件7 p% T7 W! M( S0 k/ p
而特性就被損壞- e: Q3 |, J8 {: C. Y. ~
; M2 H6 ]+ ~; o
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
; m/ g* T" [9 x$ g' K" G所以蝕刻吃他最多; b$ L% I# e0 [. D; ?% Y
主要部份特性就不會被破壞2 ^0 Y! x! ]4 x( c# S
+ a# S$ X8 O+ R# T* M" n
很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>+ M( Y' E2 {4 F  R- I  ?; B( K
所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享
. @& E: J/ h! \( L" s5 F
3 E; @# Q$ @, O9 D又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加9 `4 `5 O2 p5 m2 y
還有電容也要加  p5 h! ^9 {* O- @+ y
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!
" e" `1 v. O( a, {: k( b+ {! i& ?+ @7 c0 g3 y5 |! C
and i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ..." X; j2 Y' a  u: P
vincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

2 L4 e( x; p- X# V0 D) S
, _: l! V5 L6 C% b. X( k
- o& Q9 v- O% u3 X    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
& a$ A7 G/ Z7 D7 x
5 H5 k0 ~) Q7 k: m2 l- _如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??
1 O* N( ~- {3 F# b! R) r. Z8 x4 z
) J7 i1 c. l  B+ b數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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