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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 需要加 DUMMY 的時機是?
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[問題求助] 需要加 DUMMY 的時機是?

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372412
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1#
發表於 2010-4-29 13:07:56 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
需要加 DUMMY 的時機是在何時呢?
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發表於 2010-4-30 09:45:36 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷線, 蝕刻時容易因為 local etch rate 高而斷線. 黃光曝光時也會有bias( s' ~6 ?3 ^  F7 L8 I2 w
& ~# k& Y& [  ]* W
poly 也一樣, 但是加 poly dummy 時要注意是否允許 floating gate 及antenna rule, floating gate可能會使下方 Si 反轉導通, 引起周圍元件leakage. 若不allow floating gate, 還要想辦法把poly 接到ground or Vss.

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段睿閩@FB + 10 很給力!
w791212w + 10 很詳細
crystal_blue + 10 解說詳盡

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3#
發表於 2010-4-29 13:55:01 | 只看該作者
看你的DUMMY指瞎密
/ n' r# R- ?* N大部分是要match
1 V2 _" H6 r  ~; s0 o! _8 dMetal poly  density  不夠  p" F$ X2 h' f! L/ o/ W
加ㄉ那些也較 DUMMY
+ q2 _0 H5 D: }' q3 ~# A2 U把POLY 當電阻 ㄉ R_DUMMY  也叫DUMMY
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372412
4#
 樓主| 發表於 2010-4-29 16:17:36 | 只看該作者
回復 2# motofatfat & r5 m3 i( Y! E5 m# o( d% R

6 ^0 j6 R' o9 @( o) a- Y3 {- G; Z' r) r. Q; z: g- U
    感謝樓上的大大
! p+ p6 h: a. K% n1 d$ V( m. ^! I   我所指的是 MOS、R、C 的 dummy
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zhifj86
5#
發表於 2010-4-29 16:38:21 | 只看該作者
2楼说得没错吧，一般就是匹配啦，要求精度啦
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6#
發表於 2010-5-1 15:05:04 | 只看該作者
楼上讲的好详细啊，菜鸟拜读路过………………我一直只在考虑match时才用dummy的………………
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7#
發表於 2010-5-2 18:40:14 | 只看該作者
原來不同的元件也需要用到DUMMY阿
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372412
8#
 樓主| 發表於 2010-5-17 23:28:18 | 只看該作者
回復 5# vincent_p0593
6 M. t, Z9 t# E' `8 j+ D7 ~% Q* m7 c9 Y3 K4 u+ e

5 `8 g5 u1 ^! I# r' f& ~( i    感謝您回覆的這麼的詳細8 D& O$ Z) b) H# W
您真強
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9#
發表於 2010-5-19 09:46:22 | 只看該作者
某樓說的很對!!
+ S& l  z+ g  X( k: V' ?3 X  m/ Q7 \8 f! W3 j+ @
不過簡單來說
+ s, A: I" Q. _9 W' P在製程時食刻會破壞掉你的元件
5 _& B( x3 v: C" K6 O2 K而特性就被損壞
' e5 k$ q" r2 m) |1 t7 A4 g1 Y3 u( ]+ k( F4 S# c0 z% D/ ]
若利用dummy來做犧牲<反正他對電路沒啥用處>
) g& n+ V" E' P9 k% x所以蝕刻吃他最多
$ c3 E* U/ Q' H% h6 e3 d5 e主要部份特性就不會被破壞& f3 E6 @9 W9 U0 g2 a1 z

& r1 I) C* O4 V7 l很多的ic design 或layout講座都會提到這一點<必定提到>
6 f! E! L( F2 L0 ^3 R+ M5 ?所以可以多找網路資料也有
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10#
發表於 2010-5-19 21:06:12 | 只看該作者
5楼分析的蛮详细的。。。。。
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11#
發表於 2010-6-3 22:40:38 | 只看該作者
感謝大大的分享3 a/ N% j. x" ]' \" U/ y0 m
! Z8 O4 m7 p, n7 Y9 \! e
又學到一個知識了!!!
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鋒鋒
12#
發表於 2010-6-6 02:47:44 | 只看該作者
op的差動輸入我是一定會加+ n7 y" [$ ?6 e0 k# J
還有電容也要加( {4 Q1 k! Q3 Y; t  p
若有空間能加的都加也無彷
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13#
發表於 2010-6-8 12:09:35 | 只看該作者
“還有電容也要加”，这倒不一定！普通的补偿电容不用的
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14#
發表於 2010-6-8 16:51:55 | 只看該作者
thxs for your shows!!!9 V! P. S7 d* b( F0 M% Z6 `/ \3 J

" g* p" i) I3 u; q6 W4 oand i love it!!!
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15#
發表於 2010-6-10 23:19:03 | 只看該作者
通常會加DMY 都是需要做對稱MOS 或是需要精準的電阻 電容
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16#
發表於 2010-6-12 15:40:27 | 只看該作者
5#NB！好人啊，讲那么详细！
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pph_cq
17#
發表於 2011-1-31 16:50:58 | 只看該作者
一般 metal dummy 是為製程考量, 尤其是窄線寬metal, 若沒有dummy metal 護著 CMP 容易over-polishing 而斷 ...
! _" |% v/ q( y9 g3 W. y3 M) ?; [* Vvincent_p0593 發表於 2010-4-30 09:45 AM

$ I1 l/ _' p6 U6 Q5 {* L" H# w. n8 `
4 x& U% `! t: m; m! K* c' w0 p# k4 Y* o# M. V. k" u. @" u
    是不是意味着窄线跟宽metal之间要特别注意加上dummy metal呢？
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GU
18#
發表於 2011-2-21 22:34:44 | 只看該作者
想問一下 dummy metal 是什麼東西??
' Q( v! z+ q1 k1 W2 S# D. ^' p$ Q9 V! F; D& }& r4 \
如果MOS DUMMY 是為了補空缺的位置 這樣好嗎??, a. Q( l  `) E
& P+ v" M/ N3 r9 n  L+ a
數位電路 加MOS　DUMMY 是否很浪費呢??
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19#
發表於 2011-3-19 09:25:08 | 只看該作者
加DMUUY 是保護match 在蝕刻上為了環境都一樣嚕
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20#
發表於 2011-4-1 14:10:47 | 只看該作者
dummy device 也可當 redundant backup devices.
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