有個FLASH的問題

dysyase

[20奈米NAND Flash大戰引爆　三星、美光、東芝全面較勁]
6 \& I8 R. Q/ [9 [7 S這是今天再網路上看到的一篇新聞~亂轉不太好所以就沒轉上來了~
我的問題是~之前~45的時候不是說~會有讀取次數減少的問題嗎~那~20不就更慘~為何製程縮小會造成~讀取次數減少的問題~

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
2 u% V. i4 q2 Nfloating gate 電容 ~  1fF  
一個準位的電壓 = 3v
Q=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
" @7 z+ s) k+ O1 `  }一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
- L: i* k: a# U& |  g7 Xfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
# ~) L0 T* m* l4 w# ?讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
1 X" e" v; q6 x- K4 C' Y) M) b! u1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
i= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
1 M# a- |+ W9 P7 d$ A$ x1 Jnand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
& _5 B0 g( P3 H. u+ i4 x9 y6 z只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
0 D4 \8 {, z# C3 P可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書

likc

Very Good!! Thanks for professional answer.