請問各位大大,關於MOS電容下極版問題

tommy01

若是NMOS做的電容
( N) a1 v& G  J0 e; C8 E上極是版G極,絕緣層是薄氧化層,那下極版是基底還是N通道呢?我有查書說明有三種狀態
1,通道未型成時
2,三極管區
1 L* W( I+ m2 \. T6 M3,飽和區
3 p* b$ H# x9 p. ?' M但是RD通常叫我算POLY跟OXIDE重疊的面積就好
這樣是操作在哪一狀態呢???

kkk000777

3,飽和區
通常 depletion 都要形成，電容值才會穩定
所以使用的範圍 Vg 會超過 Vtn ,
" x/ ]: @& \$ A0 i如果想要使用雙向電容的話，可以用 barrier N+ , let mos always turn on.

poseidonpid

通常應該是工作在  (2,三極管區)，因為MOS電容的S,D,B三個腳位會是接在一起，Vgs=Vgd，所以是在三極管區，在電路設計上，MOS電容通常是由W和L的面積算出來的，但會非常不準，通常是用在穩壓用，而且在不同的電壓時，電容值會不同(Razavi的類比IC設計第二章)，要大於Vth後電容值才會較穩定，且不適合當雙向電容使用(如OP的miller 補償電容)。

semico_ljj

工作在反型层 状态

chungming

example for NMOS :
$ L4 A" Z% p2 qVg > Vth MOS at deep triode region, MOS Cap at strong inversion
/ i- \7 ~+ x- ?) JVg <Vth MOS OFF, MOS Cap at accumulation
4 `# i7 I' {7 x* p9 p: K7 s6 u) Q: y
$ A- R0 r9 c9 J" R0 o! kYou can see Razavi Chap2 pp. 39
Good Luck ~ !