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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
3 U, Y- g# H; q3 Q5 u" R然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了
7 X- o% X9 B2 U- Y" O所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
8 k3 V, [. Z: ]# R; t2 u話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
8 R! Z: x* v5 l/ `, A/ i
4 B5 p' M/ L5 z% f9 i' A, d) y2 k我附上我最後的布局圖 請各位多指教 7 t- j' n6 D( [# S( L5 l1 \

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...1 `1 z9 T- |# d4 s% A* T( w8 m* j
在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容+ e7 q) ?. N: ~' a
否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)4 k, G" E- ~) y5 D7 G$ H
不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)) q0 [* g7 p+ J
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積! E9 U2 }  p) J1 x' i- n& u
不過我沒看到電路/ x/ T5 ?0 u4 w9 e+ C
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a)7 \0 r" S+ N, |" h8 [5 J2 q

* K3 _  c, q  l8 l& }' ^1 o9 }若你用平行板的電容外圍要加保護環!!
# v% q9 s! B6 N/ e8 k* z* t! h/ ]
我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層' e0 ]6 V# K- X- K
金屬層四邊要去角避免電荷積聚
' V  S5 ?/ T7 Y$ l然後想像一下電容的樣子' {9 [& q7 s( ~5 A  i
一定會有接點接出去
0 P, D" h7 `1 S' l# Q所以或用via 或contact接出去
! j9 g8 E" w6 W; r但最大問題一定是w/l 要去算一下1 P* v. t* b. e2 a# W4 |

- _3 G! j5 r( @你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值. h# |& K$ S+ n: m# b) o
通常會有一些些些誤差!(很難完全準)# w8 Z# G0 S5 ~8 D
# k% U( i" r- Z9 O
打的好累= =zzz) r* D7 }# L8 _& c
多去網路上看看吧~
9 G) f0 D1 g, k; ?8 J製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
, F7 r# l  _+ J
& y9 w8 ?/ i& j爬一下文 應該有相關資料  x! a& l4 Z7 M, E8 R' s
4 r; h& {, q  B5 l  Q5 B
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM
  I- m3 A6 V. m6 d$ I' \" Z( U所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣( l/ I, e* l; B/ K) h5 n5 N6 E1 I; L3 J
可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西& G" r4 `$ d# z! `& F/ d
這是RULE給的電容值算法
* |+ v$ V" o; KCa = 1e-3         // F/M^2
4 x4 U& Z- Q+ u0 J, SCf = 7.5e-11      // F/M4 c4 D+ X2 t3 @; `  _  y7 D1 Y: G8 F
C = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C)
: o0 a) A3 K+ `- I/ R  C
+ c* y3 n- U' |( |論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!0 o- n( t; e, h( K

2 v0 ^3 B5 O; w我大概有看過題目但我不是參賽者!* V; P7 c  f5 d( n# B5 `

1 H6 W0 `4 r0 v( M' l電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)( H/ u( m, G* e5 g
3 r! z6 a, \' i) U( ?. M) G# u3 A+ L5 t
數位積體電路可以用mos來等效一顆電容
* g3 S3 I4 N3 }! d8 g+ o
, H9 U' v3 ?, m% x, R9 @3 R7 l# B也就是將s和d極短路而g極連接出去" U4 [/ _" R! l* Y- l: r

2 R3 v0 \0 r3 P) ~3 `- z: o' ]+ \這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容, x9 i- a9 k0 R, N: _4 e
9 y5 {$ c* X; \' \) x8 K+ Y
w/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值" b' j, H* i) \( ^9 v3 `  ]. {4 {

9 }& ~) j2 g  A5 }( ^不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!
1 M* Z* f7 h& @$ f2 s
9 G- G4 P/ L7 Z1 e* q當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組
$ M& k) ^+ }/ f2 _1 d+ O看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY 3 g6 v6 B3 U0 Y$ _4 g4 i
畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容
0 T0 _: Q: u8 w; B& t' T然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字
# w% z$ I: D, Z- i2 Dc. MIM Capacitor :
% e. D3 a$ e2 L  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)# s7 C% C7 F/ S( u# `# B
就沒了1 q/ R) L8 e. C/ \$ o2 n
所以好像沒辦法把MOS當電容
: K2 I% I* D6 j4 F順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
6 D/ i8 J- Z5 c4 R0 x& m6 X

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
7 P  k1 d& C, W  G; F5 f3 V: L- e" r% W2 J* r* z
清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
2 I( z3 z& _; B1 ?# Q3 q星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺 - R0 q+ U% Y' z/ [4 d+ m
星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的   w; a% ?4 C' O4 m& B0 B
索性做一個試算表好了 也比較好找電容值 . A. x) p2 L4 S, M0 G9 K3 `1 j
做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法 3 d/ K$ o* {. x7 A0 L% t
反正DRC/LVS過就好啦
4 q# }' z% R' {* E, O, A) s樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用) J+ s0 k' O$ d
cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
  s# F  o& P. ^* \3 d( a& oMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向% M( y8 g* ^* m& }; Y
9 b; x, Q3 t. _3 @- |% h" g
不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數   ]$ P! j" g( H, X

5 [0 X* E6 A4 k0 X最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
( G+ z! d* M7 P8 R+ H' b: G& @3 u8 ]
順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧 * O1 P0 I7 e; ?9 E1 q, m

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^& C- _0 B0 `3 ?% G+ B% K

9 `( y( k  g; E0 r- W: {不過看你得電路畫法, Z, y# r, L7 v; E
1 P; k( F% B) n- X  `# k1 _
感覺像是數位電路* [, \- `; H4 w0 U4 e* p) ~
8 `) L: `4 O( J: h% p! R
p在上n在下8 H/ `1 ^  w2 Z' v  F, g7 h

" j  |8 t# C1 ?+ k% u0 |# y呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
4 e) l, W9 x* M) J) d画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
1 l' D* O2 M/ g4 k: @$ y比你那样好看多了
2 v' N$ Z, `! b& R7 j5 L' g. n, P5 O& b8 x
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長 - d3 f! s0 f  ^
他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡
. {9 K8 Z5 q% |0 J4 @/ d0 h3 k/ W其他種類電容都沒在design rule裡面
+ ^/ M4 n2 e2 M所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔
( N. Y  s* _' |4 @, G- ?那就很有可能!!!$ S+ Q- w+ v8 a
- r$ U* `" r) g- p
你說的design rule 過不了
; B! F; ]# I4 ]; T# o0 ^* S我想你是說在cadence 中是用MIM電容
1 ^. D8 W: q' p- t) o0 ?! J但佈局卻是用MOS等效電容- `  g( M* j9 O& F( {& G
8 n% P8 M/ V7 g! p6 w
這樣是一定沒辦法過的!!
) j3 P' z# Z# w
2 E7 P) H* Y6 D- F+ F4 t- J但是...如果在cadence中就用mos等效電容
  l- b7 _- \8 R# a+ X) P那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫....- C& k5 G4 w4 J
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...
% I9 m1 o; M/ q3 d/ @該不會是叫一個NMOS或PMOS
5 U. a8 P* a9 k然後再把S端D端相接
! |& j6 E8 l# q2 M7 G9 S在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama 8 o8 g/ U3 }! A- P9 T8 B/ A

  b3 h% u" p5 v. ~
. t. a! {6 d. m/ C9 U" Y) @    請問您這次比賽所使用的process是...; j5 ]: O6 L/ ?! v( D: b& g
如果可能的話可以寄LVS command file給我
) o& ^9 T- v9 M$ c5 {2 U" l- D' ]$ |我幫您看看是哪邊出問題
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