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您好
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想請問高手們6 T! }. C$ I2 p4 k" }, V/ R+ r; d
目前已設計好一ADC,初期模擬也沒問題,! [+ Q/ [/ L, B/ I9 x
但是在佈局時遇到一個問題,就是我的訊號線會很長(類比訊號線)
: {9 l* U% { ^6 r0 D+ m0 R$ r$ L6 ?不管怎樣改變晶體的位置,訊號線都一定會很長
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8 R7 f9 s9 ~& i這樣一來一定會遇到天線效應和訊號衰減兩大問題,' {3 N* A+ x/ [' j7 P3 |8 D
9 c8 U# N$ A$ L我知道天線效應改善是在訊號線上加一個diode的pn介面,將過飽和的電流導通在地而減緩訊號線上的壓降,: S" A q) s! C' q* u% r, e' C
(問題來了喔)請問我是只要做一個pn介面(非真正一顆diode)做導通到地,這樣觀念是對的嗎?就是用一concatc接在訊號線上* }- z8 t- s+ r1 M" p/ M
而concatc外層接一nwell包住 這樣可行嗎? 還是要用別曾"n"特性做取代?3 Q& g @* Q X4 A
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第二個問題,這問題不清楚該如何解決,也就是訊號線(類比)過長,要怎麼減緩衰減?/ B' f% u3 y H' I* C) V8 V8 N
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謝謝,請大大們提出你們的經驗和見解幫助小弟我。(很及切要解決此問題) |
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