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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,0 g  X" N  n  g9 B" u

7 q/ H5 J. S: V' r! Z懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
/ `1 r1 P* z( V& U* m" L
7 m: d& f+ E) h! T: Y9 {, X! dNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。) r. a6 @9 o9 S& `+ P* \
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

: x- s- F4 z8 _. T8 e; L2 P) b
" ]  P" K/ L& Y% K9 w4 R電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,1 D* F# g. s6 n8 x: ]6 O# d& B
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)& v. j' X9 p: u' z; T
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)+ Q" N6 E- z3 s# j& ~5 {* R
在理想的switch中,輸出訊號正常。
! E$ G4 K. c& q) W在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。: E+ d3 R9 a) X5 q. S, @" p
取樣電容大概=400f F左右。/ p2 w+ q$ D- W% x
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)7 {( s9 N2 Y9 P5 P& }# {
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato : V! k3 f0 ?; \) M# s9 u' \* c
$ [3 P; B8 ]% ^

# J0 r' B, Z8 q* f    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid * R- }3 c; B# Q" P, E

3 K' ?; |/ ^2 F5 L+ D  q先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
9 i) c. W3 m! s+ `5 J+ J% ^這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形) k4 F3 y, T; _$ m6 k1 ~9 r% {
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值$ M& {+ E- r* A) I2 ?
列成一個表4 Z) S+ p' R, T2 k; K2 e: M
之後看表拿進去套用即可
9 r" Y8 J$ _; z$ M4 m7 I此外此電路SH電容不大
) M8 v- C1 K0 I& y1 ]3 c9 `會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
; _6 r6 D6 Z2 ?8 e* j: _. p
8 v# ^$ a/ |) ]' p3 Y% a) Q
3 r0 R1 `% F6 W6 y    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
/ `; D5 X' r; v. y0 I2 e由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,. v4 J5 _4 I- e5 u8 \
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
' T" Y. M1 j; S. F/ X3 z6 U& S一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!" s+ _1 G' o. m5 _2 D% O) J
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
) K. e! w  ^7 `1 i- Y& I5 q- y6 R建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??4 `+ k0 R; @, \7 e0 A
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
& l0 P6 i7 e! r( _0 r( v! g: Q另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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