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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
" {/ V: j& v  l; Q/ k2 B" w1 o) O2 G+ e7 w
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,& a' [4 G0 a6 k7 N

; y+ M% t( }6 INMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
; g& _7 s+ _, Y2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

6 {; m. @0 c  _6 {" U$ H- _
, J. q  \2 n& z6 v/ _; D; }電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,& O+ |1 I1 V' h$ c
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)* e& c8 Y1 V4 K" I4 ~' H
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz): o' c& a$ N4 P, V0 f8 \
在理想的switch中,輸出訊號正常。
5 D( A. l  E! B- B0 P在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
  f: u9 `# L: v3 H" V+ P. m取樣電容大概=400f F左右。: B7 e0 h2 Y; {/ Q
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)- n. h8 y8 ^/ {
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato
! h* h  n/ i; N
8 e9 s. ^5 C. {  X8 R' b! t+ N6 y
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 4 G5 M7 k: t/ T- x! }

1 h; Q' P" r0 T4 Q8 g) j1 H1 r& K: M先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
! e. f! T7 @1 h8 ^$ P這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
: y2 j; K, B# i1 k0 @3 m所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
. k: S$ }* t  T列成一個表5 k8 v, N. S. N' x7 E) ~6 H
之後看表拿進去套用即可! X& ]! S" F+ X9 P  g9 v
此外此電路SH電容不大
+ t! F1 y# b3 f/ I# O會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 ! g  C: v% |5 U& i- L% f! n

' w, s0 R! j3 H+ a. j0 n8 G2 z/ C3 U1 |! M3 \' f2 ?! A  s3 j" J: A1 h
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
8 D8 s& j) Y9 o; N) Y5 l3 b" k9 x由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,5 S9 J9 }2 Z8 l4 v+ t; A
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,) l# C$ O$ x* t, z6 H  }
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!: X& a$ Z" x' m
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
5 ?! Z7 w& V8 X2 F5 s# X建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??
- ]8 c# X& v1 ^8 w+ c前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,  p! L( ?* Q! Q; j& \
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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