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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
/ e" _3 d$ ]; w) C2 c/ O
# Q: `/ L& m8 m# \1 a6 u3 |懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,3 w' R5 k- U. a- q- Q5 N

5 C( o) M1 {1 m: wNMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。6 T4 l4 T* k1 E9 j7 O* _4 m+ X$ P
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
( C3 k) ?# K: D4 z

% q7 u( f: W' e* N) B電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,2 e2 I4 n( |# n3 h; _7 U
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)" D3 L. e. H8 x, ]* U
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)  a2 v9 q4 x! J, R
在理想的switch中,輸出訊號正常。
1 s0 D* E; I( p/ c/ m在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。4 [) a2 V. a9 r5 q( a4 l- {+ N
取樣電容大概=400f F左右。2 P$ D3 w& @* _) Y9 u
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
; r0 [- U- _" E$ j3 J4 z% A5 i2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 9 u: Q2 w, G, k+ q+ N: z
$ k, x; o0 }3 b7 W0 H7 W+ c( ~

( I& Z  a$ j5 p3 C8 E4 h5 X& {    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
0 S! S' [5 x3 g0 [' c' |) `- {5 j( ?; b+ p9 Q
先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
7 D7 I, r- R' M/ N' X這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形
1 c/ M! f8 z2 s/ |' x" ?0 V# d所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值. L, p6 L4 N0 _% e
列成一個表) P( g) b% H# S9 G* _
之後看表拿進去套用即可, \+ p  Q, M2 Q) p& X+ }$ @3 T  V
此外此電路SH電容不大
% O4 ]* i! Q* B會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 3 b% Y* l; p3 r7 m8 H# c! ^

$ R! y$ t, m" S% Q3 K/ U! a
/ I9 W/ e3 d/ Q0 J9 o* ]    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?9 F8 z2 k: x( A6 |$ e, e( m
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
# N6 Q) b9 Y4 K9 B" l5 N2 X在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,3 u# y  r. B! w6 m
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!) k( [1 W* V; D
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,0 P3 C6 v! t& z/ a1 P5 j, X0 y( F- t  F
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??$ ?8 T6 z8 F  v/ [' L! M" `
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,( S# g. {  m; Y9 q
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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