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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,
) p1 i; ^8 M; C# z
5 Z9 P' h3 M! c8 p3 q5 `懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,$ f# j- h$ ]0 b! v' z+ r" K4 s
! \0 d# x/ j/ P- g8 }! _) F
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。
2 w* k2 x9 K) U; z, h; T# @! U2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
9 _6 g# I6 q/ t/ D6 t" Y

3 _5 c, w% M/ N) X  ^電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
: u( v% s7 }# z" \$ f8 c標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)6 l! E5 H" @- N) z  R
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz). o  p- O- y4 p3 h
在理想的switch中,輸出訊號正常。
; X" \! w9 Z+ ^) \$ W( u在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。, ~. w- S* T3 x; o7 z0 Q/ i/ i
取樣電容大概=400f F左右。5 N) {% N8 h5 Z: P  J
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差), Q( y, |. B  B
2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 0 p% f& @: Q, `: C& Q/ @

6 L$ }# m* R7 @; e2 T, o( F, d3 ]4 d% \2 M" e2 o1 }
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid 0 R+ T8 ~5 F7 g! ?6 u4 @

1 V5 W* M1 v& Q5 R先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖# T) Z% b$ Y7 C' {
這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形& i* {3 D) m/ s2 W& L/ R+ S
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值- P3 o2 t$ ~- h  O
列成一個表
# o9 j3 g; Q( s) P9 N9 L之後看表拿進去套用即可3 \+ n( l. J1 q0 m3 J; B* A
此外此電路SH電容不大( F  o0 x4 B1 G
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
4 |# ~# J! O6 H7 @! G/ v8 p7 D+ }7 B# S4 k8 v/ l6 q8 x( ?  Y, J3 p
7 l1 y! F8 X' m4 F5 U( e4 `# |
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?
  B; O5 D! L. S- R" g由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,7 [# G" O+ U( \
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
$ y+ `/ X! Z; q0 C2 M一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
/ H7 b9 K- E2 p; y# A0 Q看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
0 a/ Z% R. M5 x2 Z$ M建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??; O: p4 U8 e) ]8 M+ i; E8 A
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
* R3 `% z& C, ?0 n9 z8 b$ x另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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