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我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中5 s1 \3 q: F K
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下:
) Z2 \1 Z. t9 L. w6 j) \9 p( C6 {+ A( ]/ j8 J* c# m
而我畫的layout圖如下:5 q6 S0 H, J8 O; J1 N
3 G7 J$ D, h& z' u I+ u2 y
l( J. ~- E6 r. U% c6 f2 C0 B
我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的,所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。
9 _7 w/ C# ^! ~) B6 J# F' Y7 P我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何?
' j2 a E6 d X3 g1.pn接面導通的電位多大?跟pn接面的面積有沒有關係 x+ S' U% t& R" W* n1 F
2.導通電流多大?跟pn接面的面積有沒有關係
V- l1 y1 e7 I) {1 y% O- G" w/ ?3.逆偏崩潰電壓多大?跟pn接面的面積有沒有關係: K' U( {6 J4 p- L# K# x- n
2 C- N) ]" l, D* S" i4 T
拜託有人能給我一點指引,謝謝。 |
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