請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
- a8 i! J. g1 z$ K/ X6 w, m8 {1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
6 S* G8 B0 @0 Y& b3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?
; L' f+ c2 f6 {! i# }) n
, a: [' M9 k1 r. w6 v1 X: L
; J$ r- j6 M+ @$ N4 B 謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
9 I- M' l* M9 O  J1P2M只能用一般MOS當電容吧~
/ a9 ]% [# S8 J* D1 N; @* M6 D$ MMOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~

[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
光憑這樣 粉難看出來
/ {8 o. W- P/ \+ I  ]# q6 [也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
2 {. {2 a2 N* }# ^. p& P可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
4 u& }& ^7 a. q5 Q2 {" D請問一下
1.那mos電容SPICE 語法如何下
5 X7 g  r$ v: L0 T; a) R是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
, f7 A, D: f/ A4 y4 n外面一排（5顆）cont應該是S端
6 ~% @6 R1 [$ @. t$ k/ ^
應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888

一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包
# [* ^; Z1 w4 G" k

不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
2.此製程1P2M 0.6um
# f# M$ ?& P/ o* M3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai

" @' D2 a9 m2 F9 T  k, y3 d確實有這種bjt
  }0 O( H% k" H% j" |; K% h! }/ ?0 a只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
" @5 v; Q! c2 p為高壓製程，非常少人使用
我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
ISBN: 0-471-37752-x
page 109
6 d" t/ X4 ~& V6 y你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888
1 }" L. |% t2 w$ P3 P. o" b5 ~
5 f  F; }% N2 j3 X  @2 z$ e. K
你po的圖不是mos電容吧~~
3 y$ |+ I9 L! `. S) `看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
) K$ e6 v; k7 A+ h$ ]$ Q中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
! g% q9 X  _+ R* B4 ~) o- |' r在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片

小包

回復 14# kazamigai
: ]. f  c" o2 Y2 r, Q0 H7 u
有道理~
我也lay過類似的mos
雖然長得不太像~
也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
1 q+ e/ O( r$ P中間那圈有接contact的應該是thin oxide
外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
& |  ]1 |6 y& F$ C6 ]7 I% w, L) p/ {有點粉紅色的應該是difusion
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
$ V3 S: ~* V$ b3 m, G外圈應該是source
4 H1 h' l4 S" w9 f& \) j# h0 ]此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
但ratio值難以估算 所以比較不精準
$ D( }+ T+ ~4 W比較不適用於要求精準的類比電路