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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。8 a6 e* a8 X& ?/ {( @
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
: b0 Z( u" D2 T2 T5 }1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
, }2 E' X$ \" u& v2 W2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
. m5 F/ V3 V5 L3 F, R# G% t2 r3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
8 j3 c8 K: [. p) ~/ \: J4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
" B; p0 y( N: i2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~
+ I( _; ?4 ~# C; q6 n6 o/ f3 U/ L7 C" I5 N3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~
# t: K$ S- m2 c3 ^4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。
5 L* n) M: v) H/ V2 z" O" r1 u1 [( K% e
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
3 d7 l6 O7 i5 E6 b# C' {  c* o" i非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:. {2 `7 F$ @2 Y0 ~
1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?8 O+ I  h6 C* x" q& E/ Q
2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸6 h3 \/ t* `) O2 Y  x
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意$ K- A/ [; \6 `1 I. S0 z
4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 ( q9 S# r' ~, ]5 T* p5 n) z
8 A- V, N2 I  i% I, J7 F
1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。
1 y" R3 m; y: P8 V7 o6 ~2。一般會比pad稍為小一點。
$ _; g! I4 }8 M% Y- U& G3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
/ ]/ |5 R0 F5 G7 X1 G- ~: n8 h7 n4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;0 T( C; ~. f; ]7 J, P* V1 I; R9 e
|||||
8 Z, ], f  V9 N% u- ^( O" N! e: G9 S|||||
; f' y' k7 @5 g" |1 r  A|||||→普通
, G7 B& U( a1 R5 r/ A) }( P: S% l3 f1 A1 J
|||||
6 i: o$ X( _" K* F% c5 M+ I≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
( J6 B! w9 G  Y- @2 O0 f6 s, q1 A谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
4 m2 ~" U# A0 z$ ]7 }1 Z7 V這些專業知識* T+ @6 n, s) w$ z/ J2 F
對我來說
% k% Q5 R* G% Z3 z$ ]& u1 t  q是非常有幫助的
; ^- ]* o3 U2 F感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手/ \. o2 _' x' q$ V2 ~0 T
這些專業知識
5 I' |8 s$ y6 n0 F對我來說
2 f- T* ]% u0 K% Y3 q4 _( J, B是非常有幫助的
8 ^7 M6 B( b& b( C8 k感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
! ?, _# a  r. R' q# `6 q先學下來以備不時之需囉" E. t: w$ p3 n, z' ~
謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
% x5 u( N- Y( v( Q2 E0 Q  ^1 K哈哈哈5 F! g* }9 L! F) N$ Q
谢谢分享
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