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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。# V9 l* q. X# x' |2 q
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:: N7 {) C# ]; c
1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些4 A' D8 H4 |) P- m6 S
2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
: r3 t! _* m7 g3 M3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧
2 S' H4 w5 K  `4 d+ M4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
. @' B3 H. g, u: F1 T. c; D/ N2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~7 n" M$ f, C* i# C1 p
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~( X' @1 c/ p/ X9 t) g" I
4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。( t( J: X' E) B: h( G
- O2 ]% a! ~% h" q' }7 V& w7 W
[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
, H4 c% {7 U* J$ f. l/ f非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
# t, T# a4 e( Q1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
/ P, f5 w/ v0 R6 O2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸0 n5 ], V4 C% q3 u' ^5 f
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
! V- l) ?7 C0 P4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 + N- G# [, _+ ?1 W# z

- F8 \1 m8 {/ i. ?7 W1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。( F; {# p! D* ]. L
2。一般會比pad稍為小一點。
, G$ i' D! Z1 e! G, i" q- g3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。9 k6 [7 q" r" D: h  `! R6 i
4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
1 G: Y3 Z. Q" y9 M  E, B|||||
7 G. j0 J& t: X1 _* ~% F' v% O|||||( M9 Q* V# |6 T: T' `
|||||→普通
# x1 y3 ]5 \/ |! j' `  F/ g9 u
3 Z! O9 `5 o& U3 K|||||7 u; e4 [8 Z2 s) r  T
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包   Q  a' u8 f4 k7 M3 ~! e) @# h" `
谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手& r: S" a$ Q# k% V- J
這些專業知識
0 v9 C3 I6 q: e: S5 r; Q對我來說
  }! I2 \6 ~) w$ ?2 m是非常有幫助的
) m: y+ K/ x( w# {- y, x感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
& H: T/ U: e% N' {4 B/ k這些專業知識
4 i' C5 ?! ]( k, {4 J對我來說
- S) j7 h; [! t; b) X7 h6 e$ s* ?是非常有幫助的& I4 m0 s3 l" u5 }' L& j
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING
* r9 T, ^: g9 {4 {# l先學下來以備不時之需囉
- C$ _# R" i- b! ^( M6 m- O2 Y謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下
% w4 Q$ g& u* H1 r哈哈哈
$ N+ u! ^% X; H6 `谢谢分享
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