關於加guard ring 以及在lvs的erc error

gyamwoo

各位好。
' ~$ |# [; M1 c0 F' L  _4 r' m我在CMOS_Transistor_Layout_KungFu這本教layout的小冊子中，在guard ring(GR)的部份讀到
& D# A, S  _4 A' @2 l; L5 G0 jNMOS要加 N型GR接VDD，可以吸附N型少數載子
: k/ \3 r* ]" _! [PMOS要加 P型GR接VSS，可以吸附P型少數載子

" Q2 ^% N" I8 `9 u+ [不知道經驗豐富的你們是不是都這樣做？
, Z9 j+ q! R! E" b一個BLOCK裡除了所需的POWER之外還有兩種型態的GR？
9 x$ ]3 I( I/ V% Q我覺得這樣有點麻煩。因為我想若是不管N或P，只要在外圍圍一圈N或P型GR，異性相吸，同性相斥。相
1 Y* B3 u/ P% l4 w斥的載子會因為空乏區的關係要走比較遠的路徑跑到別的BLOCK，這樣的影響應該相對比較小吧？

另外，我是用TSMC 0.18UM的製程。在做lvs的時候也會有做ERC的檢查。我因為多加了這些浮空的GR
造成我ERC有錯，是不是可以不用解掉呢？還是有方法解掉的呢？
- r3 l' S4 Z: ^' U附一下我的圖： 上中下的GR都是ERC有錯的部份，我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎？


! {# T. F- T; i: j! X[ 本帖最後由 gyamwoo 於 2009-10-23 01:10 PM 編輯 ]

gyamwoo

小冊子好像沒丟上來@_@
小冊子好像沒丟上來@_@
小冊子好像沒丟上來@_@
( |2 Q: x6 F% g- O6 k! F小冊子好像沒丟上來@_@
說實在的還不太會用chip123上的功能

clarkhuang

如果確定都有連接上了  此錯誤可以忽略掉

motofatfat

我因為多加了這些浮空的GR'
+ U) g5 U2 ?8 m; ?1 k* o* t 造成我ERC有錯，
是不是可以不用解掉呢？
還是有方法解掉的呢？
. S+ e5 E7 a5 Y1 A
儘可能不要浮接
/ B" G: S- H+ ?; h
如果確定都有連接上了
此錯誤可以忽略掉
因為
有時候是 POWER NAME 沒在rule file 上
3 D$ P$ E8 I1 q( R$ d! Tex:rule file 只認 vdd and gnd 是 POWER 和 GROUND
5 x+ f; p3 d$ I" {6 b: R2 @; s/ ~那你用 dvdd dvss 就會出現
8 b( L3 `, `& d- a% yfloating nxwell 和 floating psub

+ V$ ?; t" E+ G: u! I有時候是PSUB2  造成 一些  獨立 ㄉ PSUB
! o- F% J0 H$ r% d  M* l
+ |  ]" ?1 z5 J- L# K6 P+ t- Q我問了CIC都沒回應我…難道這是非常小兒科的問題嗎？
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被你猜中了 通常只有菜ㄉ人 才會問這種問題
就是常有一些菜ㄉ問題 讓 教授們 不想去回答
所以我有空 會在這裡 哈拉 哈拉

skeepy

你的圖浮接的PGR OR NGR有確實的用METAL接到VDD或VSS嗎？
. v) Z4 ^( C2 Y% `4 Z你的LAYOUT DEVICE不是啥特殊的,這兩個ERC ERROR應該要清掉
才是.

12345

從圖看你的pring是floating,沒接到groud,erc會抓一定是沒接（但有的是有接蛋沒給ground name,這樣也會抓出來),我是會把ERC都解掉,建議ERC也要都解掉才算OK,不過有些ERC寫的人沒寫好,有些會有假錯,譬如hot well,也會被當成沒接到POWER,而抓出來,或者NMOS做在NWEL當CAP,這也會抓出來,會寫command file也能自己加上一些erc判斷,來讓IC WORK機率提高,commmand file還是人寫的,寫的人不一定會考慮很週到,自己會寫最好,不然就是給專門在寫的人去寫(大公司都有專門寫command file的)

gyamwoo

那兩條GR確定是會拉到chip的pad上，量測時會給vdd跟ground。
+ }; B8 k1 l+ {; c我覺得會認為是floating是不是因為我沒有接到任何一個mos或是device呢！？

gyamwoo

另外再討論GUARDRING(GR)到底要不要跟POWER接在一起，因為這會讓LVS簡單不少
是這樣的啦。以前在123上面看過說GR可以跟power接在一起，但GR的效果就不會比較好。
; q) k* J$ e6 v# \) T畢竟GR是要吸雜訊的，另外GR跟BODY或WELL會是逆偏的PN接面，有一空乏電容；如果接GR的電源或地是不夠純淨的話，其雜訊或抖動的電壓會不會耦合進電路降低CHIP的效能呢？
好苦惱喔