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第一個問題,在輸出端的串聯電晶體,是可以增加輸出阻抗
% k' O1 G d2 }7 d' s, P1 ?% A而我覺得更重要的應該是可以使up down的switch不直接
1 z& z0 W, L4 y與輸出端相接,可避免switch的一些切換時的side effect
3 b+ _" W8 u7 f1 Y6 Y( l$ g比方說clock feedthrough,charge injection對輸出端
7 t0 u) s. H$ J0 Q4 O; r6 J造成的影響,而產生jitter. d" N, Q6 h# h0 t* b
7 l: S* i$ j5 x3 L7 [+ A第二個問題,我覺得這應跟N P MOS的mobility有關,為使up
, F$ R: u9 w& ]4 Y c& K和down的電流match所以要有這種ratio比兩倍應是一般的條件* |6 y* h% d- `; \
但真正的比例應依照使用製程的兩種元件的mobility來設定( D, W( Y6 b3 B
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以上是小弟的看法,如有不足或錯的地方,希望高手能給予補充 |
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