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[問題求助] 请教几道analog面试题

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1#
發表於 2009-9-23 10:00:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
都是些纯技术的问题,关于op-amp的。
6 }# }3 i9 k2 Z# i
) i3 _9 U1 f) i6 u1. 比较三种结构:a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b. " F1 y$ B1 `: c: u3 h) K
telescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。7 _. E" ?1 _1 k# \& F. u' O

6 F4 @1 F1 G; b7 }1 L2. 设计普通的2-stage op-amp,是第一级还是第二级的gain比较的大?为什么?7 \" m1 p* M- g: i  C6 _

- K+ H( k+ n9 K: Y: f3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant
* t' }+ p: K: |' Y/ h. `. l) S) {9 kpole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样(就是说,你要是说第一级输出0 K4 ]+ Q6 R' H# s/ w! Y1 b
是dominant,那么好,解释一下为什么它是dominant;反之亦然。)
2 D# Y1 o4 {4 s  F% ~( H
6 M4 k9 {' z% j( W5 `3 ~6 f* o( I4. Miller compensation一般是怎么work的?通过Miller compensation,原先的
7 E2 _8 z5 H3 m9 idominant pole现在怎么样?secondary pole现在怎么样?为什么会出现这样的情况(
: @5 C0 q+ J6 Q, t我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低,让高频率的更高。你要回答
6 p& q$ {- `7 |% `的是为什么会这样?不是单单从公式的角度)?2 b- f/ V8 S. W3 ?

6 h, v! t" j2 k5. Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什
5 P" r4 z4 M5 [) s8 v么东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加?
' W# R3 [. P3 _; x, A1 ]1 ?! A. d9 I
! Q9 Q6 Y, j3 Y  N! U$ b6. offset,对于一个普通的2-stage op-amp,有哪些offset (input diff pair,7 w  e0 Q* m! V3 n/ Z9 m
output of the 1st stage, etc),在这些offset中,哪些是有major影响的,它们各自
- R  Y4 o. t7 l4 z) i. w的影响分别是什么?! ~7 `) c3 x0 g
6 o7 h. [/ ]3 b7 {
期待牛人的详细解答。。。
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2#
發表於 2009-9-23 13:06:04 | 只看該作者
1.請看Razavi的書 P.314! E/ C) V5 q0 A+ X. r" R/ r3 ~5 f
2 Z. u/ q! i' c. `3 `3 S" K5 r( H
2.通常是第一級,這樣input-referred noise 較低。4 M) J3 h8 l6 c& r0 U, D4 @0 `1 O
& I: j, L" D3 s3 @4 @) R  {
5.PMOS可壓低 flicker noise,但是60nm以下差別越來越小。gm當然是大好,理由同2。9 ^4 Y+ q0 u+ U; R: W
  u2 Y. n: q& t- y7 l
其他忘了,請各位高手解答!
3#
發表於 2009-9-23 13:31:01 | 只看該作者
offset主要區分成二種0 `, U2 z. w0 O0 K9 `6 T
一種是Vt的offset,另外一種則是current mirror or current source offset
2 h% e' w+ {. ^Vt的offset主要的影響來源來自第一級的differential input stage,這個offset主要來自製程廠的因素所造成,這個offset絕大部份的評估是以製程廠所提供的技術來決定這個Vt的offset值為多大,一般而言,面積愈大,Vt的offset會愈小,PMOS的Vt offset比NMOS的Vt offset要來的大,若要消除這個offset,可以從input stage size著手改善,或者可以從layout手法與對稱的方式來改善, s) N" ^) l9 E
第二種current mirror or current source offset大都是講第二級的部份,形成的原因乃是因為current mirror並非理想而造成的offset. I) v, W2 f) z% }
這兩種offset以Vt的offset影響較嚴重,也較難解,因為area會直接決定Vt offset,而current mirror or current source offset的等級跟Vt offset比較起來小很多,一般來說都是先考慮Vt的offset,若有其他餘力或者area,再來解current mirror or current source offset
4#
發表於 2009-9-23 18:31:18 | 只看該作者
小弟也來提供點淺見:2 {" ~4 C7 c9 p! b3 g
  {% @4 l( J( x7 y0 j
第三個問題 :
) W, [# _" J- S      two stage OP在沒頻率補償的情況下,dominant pole應該是落在7 ~4 I, {1 p* J/ H- q8 c* V
       輸出端,而secondary pole是落在第一及輸出端,因第一級的OP較大: R4 {5 X3 N. I$ v: h! O+ U
       C應該是current mirror 的active load裡的mirror pole,但此
# U' L' G0 G( T) o8 v$ _. U9 h       點看到的R卻比較小,約為1/gm, 而第一級輸出阻抗可以提供大的R但卻
; f+ N; w% ?' I* Q       僅MOS的寄生電容來提供極點的C,所以第一級都是大R配小C,或小R配大C' D1 N" I" i: k4 x3 G3 e' Q
      而輸出點通常看到的loading C會比較大,且第二級也可提供夠大的輸出/ x- |) Q; g# h
       阻抗,所以在沒頻率補償的情況下,主極點會落在輸出點,次級點,落在第一9 ?9 w8 W, i6 b2 C- Q
       的輸出點
5#
發表於 2009-9-23 19:28:15 | 只看該作者
請問樓上的前輩 1 f% x  b+ k5 {) C* t2 |4 N
何謂mirror pole呀?!  是current mirror造成的是吧!?2 N2 Z% _; r! F2 k, X, {
而這裡我記得會有所謂frequency doublet現象是吧?!     4 S# B* ~, U5 N2 E0 m
第一級是大R(應該是指Rds並聯吧?!)配小C ,9 l* V9 `* W2 ^' q4 Q+ Y( B. q
小R配大C 是怎麼來的呀?!
7 o' O; T; [2 I8 k# {) {6 t3 O! Y% ~謝謝大家的回答^^
6#
發表於 2009-9-24 18:40:32 | 只看該作者
第一級diode connection 那顆MOS上的寄生C較大$ j# Y# C" {5 Y# `
但此極點看到的R為diode connnection的MOS所貢獻. E. R: G5 S) T- V7 C" V
約為1/gm比第一級輸出阻抗小,所以第一級中的pole在
, j7 e# D1 ]9 Z' Q" o無頻率補償的條件下,極點落在較高頻率形成非主極點
7#
發表於 2009-9-30 13:13:39 | 只看該作者

第三题的一些看法!

两级运放的主极点应该在第一级的输出端,次极点应该在输出端!4 \% Q$ {& C- S9 I5 C" Z/ U: x
   一般的两级运放的第一级主要实现增益放大,第二级主要实现输出较大的幅度和一定的增益,对于具有较高的增益的第一级来说,输出的阻抗是十分的大的,并且输出点的电容就是第一级的输入电容以及本级的电容的加和,该电容也是十分的大的,由此导致该输出级的极点时十分的小;对于第二级的输出电阻,由于该级的重要的目标是在一定的增益的基础上,获得极大的输出摆幅,因此输出电阻相对来说较第一级较小,第二级的负载电容也是较大的,由此导致输出的极点也是十分的小的。
: w% y. a# u7 d1 Y   一般来说第一级的极点相对来说要比第二级的极点较小!- R& A0 i8 G3 _* I* F: R. {

! C) X" T  C5 C* c* C7 O   请多多指教!
8#
發表於 2009-9-30 13:29:32 | 只看該作者
第三题解释清楚R,C的相对大小即可,就能看出你对电路的理解程度了!
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