sdram控制器的問題

ian77316

板上的各位前輩好..

我現在在設計一個sdram的控制器，我根據著datasheet去設計。
# g0 [& O/ p* {- ^5 G也把他的流程圖都畫出來了

2 F% {- i9 Q3 P6 {  I& S9 D但是現在有一個問題困擾我很久，我的sdram都只有作單筆的讀寫才能正確的動作
9 {# R. L. v5 S* O- o7 ?只要轉換模式設定(MRS)成多筆的連續讀寫就會產生問題
舉個例來說
9 p8 s" S# n( t$ g$ s9 I2 E6 [  FHOST端下達連續寫四筆資料 (1,2,3,4) 然後在同一個位址連續讀出四筆資料
3 M; a! N' G7 j. q; L; V正確的結果應該是讀出(1,2,3,4)，但讀出結果每次都是(1,1,1,1)
四筆讀出的資料都是第一筆，不知道是發生了什麼問題????
不知道是什麼原因讓sdram內部的位址不轉變?
7 j  I7 ?- j3 `! [& u" a還是我當初在寫的時候都只寫入第一筆的資料?

  E: P; {! |) U- L( P' }9 A8 ^我用的是Elpida（hitachi）生產的SDRAM
型號是HM5216165TT10H

6 p! p' d0 o, t4 K不知道有沒有前輩知道為何會發生這種問題?或是會遇過這類問題的?
4 g& d/ r, ]% S- b9 U能否提供給我一點意見去解決，我已經debug一星期了還是毫無頭緒....
) ^. o6 v3 I4 e- o8 A; L* N' Y7 o
謝謝

tommy123

如果可以提供你的程式碼以及模擬片段，這樣比較容易幫你Check。

ian77316

謝謝tommy123前輩，
                 後來我用波型和邏輯分析儀已經找到了錯誤，問題已經解決
                 似乎只是command沒有下在正確時間輸入正確
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                 很謝謝你的熱心幫助