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版图设计基础培训（很有用）！

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fgwh406
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1#
發表於 2009-9-3 10:22:12 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
包含内容：
' j, V/ }8 V' Ucadence基础培训5 r$ g. }, c! s3 k- E  ?
CMOS工艺( X" r' C( j0 e* J- t
mixed signal layout
2 B0 @/ ?& i. S# ^. b阱中阱bi-cmos工艺流程, t6 V2 k' L1 L, |3 M
5 a9 \' A% }% K" h( H! A% S5 d1 l) W
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far
42#
發表於 2024-1-20 11:57:03 | 只看該作者
感謝分享
: o8 S4 z' z6 D可以了解很多的知識0 M# k! p0 Z* F' ?/ |7 [
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41#
發表於 2023-12-8 02:21:53 | 只看該作者
學習永無止盡 謝謝前輩分享  v7 D% q  L2 M8 T' h
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40#
發表於 2023-11-10 01:21:31 | 只看該作者
感謝分享，layout可以再次提升能力
5 t- x2 ~. o2 c+ K3 O* a9 G+ I0 t
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39#
發表於 2022-7-6 09:52:36 | 只看該作者
交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊
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38#
發表於 2022-6-14 11:53:07 | 只看該作者
+ x7 ?' Q3 `. A) z
謝謝分享,
3 S+ U3 K& z) G0 u, \5 {/ H$ b研究看看...希望有幫助＠＠
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pomu
37#
發表於 2022-5-14 22:52:07 | 只看該作者
感谢分享，刚入行layout，望大神指点( k. |9 r* E$ E, M4 Q! \* i4 g
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kpo0806
36#
發表於 2020-8-3 11:18:15 | 只看該作者
謝謝樓主提供此教材，很有幫助
0 A/ V2 ^; ?7 U
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35#
發表於 2020-7-31 01:40:37 | 只看該作者
最近在layouy電路 來看看學習
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34#
發表於 2018-9-16 14:17:07 | 只看該作者
感謝大大的分享
2 |1 F9 T# h- _, Z- k希望能對我這個菜鳥有幫助. V- _* R8 a. [4 D5 s
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33#
發表於 2018-9-2 08:19:54 | 只看該作者
没有经过系统学习，下来看看。
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32#
發表於 2018-8-24 12:16:43 | 只看該作者
感謝大大提供,   正好工作需要用到% t' X2 c# |6 l; j3 l% y
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31#
發表於 2018-8-3 10:22:46 | 只看該作者
感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。) J+ c+ y% b9 x" ]! o- R* [
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30#
發表於 2016-8-18 20:35:50 | 只看該作者
謝謝分享; g$ [; f* y1 ?- t* }
看起來是一份很基礎的講義
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29#
發表於 2016-6-30 15:19:06 | 只看該作者
    謝謝分享!參考看看9 i. h7 q9 J  Q- G
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28#
發表於 2016-5-25 13:13:44 | 只看該作者
剛踏入這行
% x4 \$ q$ q" r想找些教學資料參考) }8 d2 ?- D: i5 m
謝謝大大分享
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adjamie
27#
發表於 2016-5-23 10:48:19 | 只看該作者
謝謝分享!!/ t. D: q; Z& e" W! {! n
學習中,非常需要~
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26#
發表於 2016-5-21 00:35:57 | 只看該作者
bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案
5 C3 _9 G! L. ]' L/ E感恩~
2 k* O3 @' J6 Y8 K; {3 `/ c
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25#
發表於 2016-5-20 09:06:11 | 只看該作者
太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）: ]& m/ H" c" @3 P2 \5 S6 T
   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）# F& k  d- _! v$ \0 k
    : |2 D3 ^, R7 \: m( Z2 z+ _
   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
! K9 J& G8 E2 Y. L, }( w   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。
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930709
24#
發表於 2016-3-31 12:51:18 | 只看該作者
想看本內容,謝謝!!
9 ?2 T1 }: [  }+ G!!
2 r# ]2 r4 @! J感謝分享~~
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